代理SM明微電源驅動芯片：SM2097E SM2092E SM2202P SM2316E SM2082KSM2318ESM2135E SM2123E SM2212EA SM2213EA SM2200/3P SM2087 SM2315E SM2083 SM2086 SM2082GSM2082EGSM2096ESM16512P SM1501 SM32108E SM16812P SM088等更多型號，歡迎來電咨詢0755-83259945陳小姐。

SM2318E是一款高功率因數LED線性恒流驅動芯片，支持可控硅調光，調光過程多段LED燈可實現同亮同滅，亮度均可變化。

芯片內部集成維持電流電路，可控硅調光應用無需外部維持電流，提高系統效率和LED光效。

芯片集成過溫保護等功能，提升系統應用可靠性。

特點：

1.輸入電壓110Vac或220Vac

2.恒流精度小于士5%

3.功率因數大于0.98

4.THD小于15%

5.內置過溫保護

6.支持可控硅調光，可實現多段LED燈同亮同滅

7.封裝形式：ESOP-8

應用領域：

1.LED恒流驅動

2.LED球泡燈

3.LED吸頂燈

2017年半導體產業締造了一項新紀錄。

國際研究機構Gartner研究總監George Brocklehurst表示，這項記錄便是三星將英特爾擠下全球半導體營收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來連續25年“全球第一大廠”的名頭就此讓位。Gartner最新的統計結果顯示，2017年全球半導體營收總計4204億美元，較2016年的3459億美元增長21.6%。

此外，根據IC Isights等機構的統計數據，從營收來看，全球前三大半導體公司中韓國占據兩席，三星、SK海力士分別位居一、三名。三星、SK海力士在2017年營收大增，主要和芯片短缺造成的價格走高有關。

自20世紀80年代三星建立半導體研究與開發實驗室起至今，韓國半導體產業發展可謂“勵志”。

不到40年的時光中，韓國的半導體產業在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長為半導體產業之林的巨擘，離不開密集的技術援助、政府的強力保護以及企業的“死磕”。

沉淀：“政府+大財團”的模式

韓國的半導體產業以技術引入起步，經過20年左右的沉淀，在芯片設計與加工技術等領域完成了自身技術積累。

1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生產出韓國的第一臺真空管收音機，這也被認為是韓國半導體產業的起源。但當時的韓國并沒有自主生產能力，只能對進口元器件進行組裝。

20世紀60年代中期開始仙童半導體(Fairchild)和摩托羅拉(Motorola)等美國公司越來越多地投資于東南亞等低價勞動力國家，以降低其生產成本，韓國從這一趨勢中獲益，但僅停留在經濟層面。

OECD(經合組織)在一份報告中指出，對于這些美國投資者的子公司而言，韓國只是“飛地”，對于韓國的技術進步未起到任何作用，“他們只是專門從事簡單的晶體管和ICs的組裝，用于出口，所需的材料和生產設備都是進口的”。

到了20世紀70年代，三洋(Sanyo)和東芝(Toshiba)等日本公司半導體公司也開始在韓國投資。但直到20世紀80年代初，韓國的半導體工業仍然非常局限，只是一個簡單的、勞力密集的組裝節點。

隨著20世紀70年代外部世界市場環境變化以及韓國工資水平的提高，韓國輕工業產品出口比率大幅下降，外債也上升到危險的水平，韓國經濟受到威脅。

為此，韓國政府在1973年宣布了“重工業促進計劃”(HCI促進計劃)，旨在通過重工業和化學工業發展來建立一個自給自足的經濟。1975年，韓國政府公布了扶持半導體產業的六年計劃，強調實現電子配件及半導體生產的本土化。

韓國政府還組織“官民一體”的DRAM共同開發項目，即通過政府的投資來發展DRAM產業。

在半導體產業化的過程中，韓國政府推進“政府+大財團”的經濟發展模式，并推動“資金+技術+人才”的高效融合。在此過程中，韓國政府還將大型的航空、鋼鐵等巨頭企業私有化，分配給大財團，并向大財團提供被稱為“特惠”的措施。

《經濟學人》在1995年的文章中評論稱，20世紀80年代韓國工業的發展得益于HCI促進計劃，由于如此龐大的資源集中于少數財團，他們可以迅速進入資本密集型的DRAMs生產，并最終克服生產初期巨大的財務損失。

超越：三星的崛起

1983年是韓國半導體產業的歷史轉折點。

韓國財團的進入讓半導體行業進入大規模集成(VLSI)生產時代，這些包括三星、金星社以及現代公司(后改名為海力士半導體，并被SK集團收購)等企業。這實現了韓國工業的質變——從簡單的裝配生產到精密的晶片加工生產。

20世紀80年代，三星和現代的財團都在尋找未來的商業領域，最終他們的目標是，從工業基地轉型為更具高科技導向的產業。當三星決定通過其電子業務進入大規模集成芯片生產時，現代決定將芯片生產作為實現其向電子產業多樣化的一個途徑。而隨后金星社的加入，讓韓國最大的三家財團均參與進VLSI生產。

三星發展半導體產業是一部濃縮的韓國半導體產業發展史。

前三星集團首席執行官李秉哲(Lee Byung Chul)在1983年2月決定對內存芯片生產進行大規模投資。這被認為是一個非常大膽的決定。因為當時韓國仍是一個簡單的裝配生產基地，1983年，整個半導體生產中晶圓加工的份額也僅為4.3%。

根據三星的官方策略解釋，三星電子公司當時遭遇了日本進口芯片的頻繁交付問題。以上的所有因素促使李秉哲嘗試進入VLSI芯片業務。

三星制定了一個詳細的計劃，根據這個計劃，三星全部半導體產品中大約50%應該是DRAM。通過對精心挑選的DRAM領域關注，實現規模經濟和成本的競爭力。

其后，SST國際公司在硅谷成立，成為三星的技術前哨。SST國際公司(與Tristar半導體公司同年更名)為三星的產品開發做出了重大貢獻，SST國際公司成功開發的產品會轉讓給韓國的母公司SST，用于批量生產，這對三星的技術開發起到了至關重要的作用。

1983年，三星在京畿道器興地區建成首個芯片廠，并開始了接下來的一系列動作。三星電子首先向當時遇到資金問題的美光(Micron)公司購買64K DRAM技術，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外，三星還取得了夏普“互補金屬氧化物半導體工藝”的許可協議。

在此過程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進式工藝創新，加上這些公司逆向工程方面的長期經驗，韓國的半導體產業進入了發展的快車道。

在選擇DRAM作為主要產品后不久，三星于1983年11月成功研發了64K DRAM。從技術上講，韓國半導體行業實現了從相對簡單的LSI技術到尖端的VLSI技術的重大飛躍。由此，1983年標志著韓國VLSI芯片時代的開始。不可否認的是，在最初階段，外國技術許可在三星產品開發中發揮了至關重要的作用。

隨后，三星電子1984年成立了一家現代化的芯片工廠，用于批量生產64K DRAM。1984年秋季首次將其出口到美國。1985年成功開發了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術”的許可協議。

此后三星在DRAM上不斷投入，韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所[KIST，由韓國科學和技術部(MOST)管理]牽頭，聯合三星、LG、現代與韓國六所大學，“官產學”一起對4M DRAM進行技術攻關。該項目持續三年，研發費用達1.1億美元，韓國政府便承擔了57%。隨后韓國政府還推動了16M / 64M DRAM的合作開發項目。

1983年至1987年間實施的“半導體工業振興計劃”中，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款，并激發了20億美元的私人投資，這大力促進了韓國半導體產業的發展。

在1987年，世界半導體市場還出現另一個機會，這源自美國和日本之間的半導體貿易沖突以及隨后的政治調控。1985年以后，日本DRAM生產商市場份額的增加，被認為是犧牲了美國生產商的利益，美日之間的貿易沖突日益加劇。

日本首先宣布對外國半導體生產商實施半導體貿易協定(STA)，美國政府則于1987年3月宣布了對含日本芯片的日本產品征收反傾銷稅等報復措施。

最終，日本承諾通過減少DRAM產量來提高芯片價格。但當時美國計算機行業需求增長，導致全球市場上256K DRAM的嚴重短缺。這為韓國256K DRAM生產商提供了重要的“機會之窗”。

此后韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM芯片設計時，研發速度比日本晚6個月，隨后三星又趁著日本經濟泡沫破裂，東芝、NEC等巨頭大幅降低半導體投資時機，加大投資，引進日本技術人員。并于1992年開發出世界第一個64M DRAM，超過日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

賭徒：逆周期投資

超越日本成為世界第一大DRAM制造商只是三星帶領韓國半導體產業邁向世界第一梯隊的第一步。

1995年之后，三星多次發起“反周期定律”價格戰，使得DRAM領域多數廠商走向破產，并逐漸形成DRAM領域只有幾家壟斷市場的現狀。

集邦咨詢拓墣產業研究院研究經理林建宏對21世紀經濟報道記者表示，半導體產業每年需投入大量資本支出，用于設備與技術的開發。三星是綜合公司型態，即使存儲器市場低迷，仍可透過其他事業部門注入資金。這讓三星逐步成為半導體產業巨擘。

比如，三星于1984年推出64K DRAM時，全球半導體業步入一個低潮，內存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當時的生產成本是每片1.3美元，這意味著每賣出一片內存三星便虧1美元。

在低潮期，英特爾退出DRAM行業，NEC等日企大幅削減資本開支，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼，逆周期投資，繼續擴大產能，并開發更大容量的DRAM。

到1986年底，三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空。但轉機卻瞬間來到，1987年，日美半導體協議的簽署使得DRAM內存價格回升，三星也為全球半導體市場的需求補缺，開始盈利，從逆勢中挺了過去。

在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼時日立、NEC、三菱的內存部門不堪重負，被母公司剝離，加上東芝宣布自2002年7月起不再生產通用DRAM，日本DRAM僅剩下爾必達一家。

再如，2007年初，因全球DRAM需求過剩，疊加2008年金融危機，DRAM顆粒價格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻將2007年公司總利潤118%用于DRAM擴產，使得DRAM價格接連跌破現金成本和材料成本。

在這樣的攻勢下，德國廠商奇夢達于2009年初宣布破產，日本廠商爾必達于2012年初宣布破產，三星市占率進一步提升，全球DRAM領域巨頭只剩下三星、海力士和美光。

這場價格戰的影響仍在持續，DRAM從2016年下半年到2018年一季度，一直處于穩定缺貨漲價期中，在此過程中，三星芯片業務銷售額達690億美元，成為全球最大的芯片制造商。

中國半導體投資聯盟秘書長王艷輝在5月3日接受21世紀經濟報道記者采訪時表示，在品牌發展不順的時候，三星等韓國的企業并未想到要轉去做代工，而是繼續投入，這是韓國能夠出現三星、海力士等全球領先芯片品牌的原因。

如何保持第一梯隊優勢

王艷輝指出，韓國的半導體產業是從產業轉移開端，在政府主導下，發展出自有品牌。

在韓國發展半導體產業的過程中，韓國政府對于產業的支持力度非常強，研發時大力投入，產出后進行保護。

從1990年開始，韓國半導體產業投資興起。從研發投入來看，1980年時半導體領域研發投入約為850萬美元，到1994年時為9億美元。專利技術也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。

1994年，韓國推出了《半導體芯片保護法》。此后，韓國政府還指定芯片產業及技術為影響國家競爭力的核心技術，致力于高度保障技術及產權。

龐大的半導體產業也發展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業、半導體設備企業和半導體材料企業層層分工，通過外包、代工的方式構建出的龐大半導體產業鏈，形成了龍仁、化成、利川等等半導體產業城市群，支撐著韓國的半導體產業鏈。

在韓國的半導體產業進入全球半導體產業的第一梯隊后，韓國仍希望保持其自身的優勢，不僅通過“BK21”及“BK21+”等計劃對大學、專業或研究所進行精準、專項支援。還在2016年時推出半導體希望基金，投資于半導體相關企業，旨在聚焦新技術的開發，尤其是儲存新技術方面。

這一系列的政策也基本延續“政府+大財團”的產業政策，鼓勵企業及大學間的結合，為芯片產業培養人才，以維持韓國在半導體產業上的優勢。

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