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STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8開發板設計用于L638xE和L639x高壓柵極驅動器。L638xE和L639x驅動器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的單芯片半橋柵極驅動器。這些L638xE和L639x驅動器是采用BCD™“離線”技術制造的高壓器件。EVALSTDRV600HB8開發板由采用SO8封裝的兩個樣件（L638xE和L639x）組成，支持評估額定電壓高達600V的柵極驅動器特性和功能。另外，SO8封裝還支持多種高電壓、高側和低側驅動器器件。該開發板還配有濾波電容器、自舉電容器以及集成式自舉二極管等無源元件，旨在實現更加緊湊和更具成本效益的解決方案。

特性

半橋配置

600V高壓軌

包括針對各兼容柵極驅動器的采用SO8封裝的樣件

L6385E、L6387E、L6388E、L6389E、L6395、L6398和L6399

兼容MOSFET或IGBT dv/dt 在整個溫度范圍內的dv/dt瞬態抑制：±50V/ns

集成式自舉二極管

專用的高側和低側驅動輸入

緊湊、簡化的布局

該套件中包含的柵極驅動器具有各種功能和特性：

高側和低側欠壓閉鎖

內部死區時間或無死區時間

用于防交叉傳導保護的聯鎖功能

能夠驅動不對稱半橋和開關磁阻電機

高電平有效或低電平有效的本地互聯網絡 (LIN)，用于單輸入柵極驅動

EVALSTDRV600HB8 制造商: STMicroelectronics

產品種類: 電源管理IC開發工具

產品: Demonstration Boards

類型: Gate Drivers

工具用于評估: L638xE, L639x

輸入電壓: 17 V, 20 V

商標: STMicroelectronics

產品類型: Power Management IC Development Tools

工廠包裝數量: 1

子類別: Development Tools

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