91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

分立半導體 晶體管 MOSFET IRF3808STRLPBF

發布時間:2018/5/11 23:01:00 訪問次數:254 發布企業:深圳市金嘉銳電子有限公司

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V
Id-連續漏極電流: 106 A
Rds On-漏源導通電阻: 7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 220 nC
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 200 W
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 100 S
下降時間: 120 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 140 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
零件號別名: SP001559612
單位重量: 4 g

相關新聞

相關型號



 復制成功!
漳平市| 饶阳县| 辽宁省| 岑溪市| 象州县| 高邮市| 富源县| 延寿县| 浠水县| 方山县| 南溪县| 新巴尔虎左旗| 翁源县| 合阳县| 满洲里市| 蓝田县| 马边| 灵武市| 安国市| 呼伦贝尔市| 东平县| 温州市| 九江市| 东港市| 阿瓦提县| 丁青县| 衡山县| 包头市| 永德县| 清丰县| 阿荣旗| 绵竹市| 张家口市| 瓮安县| 牙克石市| 丹寨县| 赤水市| 乌拉特前旗| 兴文县| 肥乡县| 荆州市|