型號：STW21NM60ND
品牌：STMicroelectronics
描述：分立式半導體 場效應管
MOSFET N-CH 600V 17A TO-247 功率140W
產品種類：MOSFET
系列：STW21NM60ND
晶體管極性：N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：600 V
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
漏極連續電流：17 A
導通電阻：220 mOhms
最大工作溫度：+ 150 C
安裝風格：Through Hole/通孔直插
供應商標準封裝：TO-247
封裝類型：Tube/管裝
下降時間：48 ns
最小工作溫度：- 55 C
功率耗散：140 W
上升時間：16 ns
工廠包裝數量：30
價格： 面議
數量：18960
備注：深圳市勤思達科技有限公司長期供應功率MOSFET STW21NM60ND
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場效應管分類
根據導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時，管子是呈截止狀態；加上正確的VGS后，多數載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區域的載流子，形成導電溝道。耗盡型則是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。
以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。電位方向是從外向里，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區之間就感應出帶負電的少數載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通，形成漏極電流ID。
國產N溝道MOSFET的典型產品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。
MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此出廠時各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時，全部引線也應短接。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施。
