士蘭微LED驅動IC優勢產品推薦：SD6800、SD6800B、SD6802S、SD6804S、SD6807D、SD6601S、

SD6601A、SD6602S、SD6900、SD6902S、SD6904S、SD6701S、SD6701A SD6702S SD6704S、

SD6910,SD6704D,SD4844P67K65,SD6603D,SD6604D,SD6702D,等更多型號，歡迎來電咨詢

0755-83259945陳小姐/13714441972。

SD670XS是一款專用于非隔離LED驅動的控制芯片，外圍應用采取Buck架構，特有的采樣技術輔助下，從而達到高恒流精度和高線性/負載調整率。

SD670XS內部集成各種保護功能，包括輸出開短路保護，逐周期過流保護，過溫度保護等。

SD670XS具有超低的啟動電流和工作電流，可在全電壓輸入范圍內（85VAC~265VAC）高效驅動高亮度LED。

SD670XS內置高壓功率MOSFET，有效的節約系統成本和整機體積。

特點：

 內置500V高壓功率MOSFET

 精確恒定電流（<±3%）供給LED

 輸出開短路保護

 CS開短路保護

 VCC欠壓保護

 過溫保護

 逐周期過電流保護

 無輔助繞組

“中國芯”已成為舉國關注的話題。

4月底，工業和信息化部新聞發言人表態，中國將加快推動核心技術的突破，對于集成電路發展基金正在進行的第二期資金募集，歡迎各方企業參與。

繼集成電路大基金第一期1387億人民幣投資以后，中國政府第二期大手筆資金投入再度聚焦市場的眼光。相關媒體報道顯示，醞釀中的二期大基金預計不低于1500億到2000億元的規模。

國家隊將如何支持芯片產業，大基金將主要投向哪些方向獲關注。4月26日上午，習近平總書記來到紫光集團長江存儲下屬的武漢新芯調研時提到，具有自主知識產權的核心技術，是企業的“命門”所在。裝備制造業的芯片，相當于人的心臟。心臟不強，體量再大也不算強。要加快在芯片技術上實現重大突破，勇攀世界半導體存儲科技高峰。

21世紀經濟報道記者近日采訪武漢新芯相關人士，以武漢發力集成電路產業以及武漢新芯近十余年來如何發展等系列問題為樣本，還原央地政府和企業在芯片領域的艱難突圍。

從2006至今12年，央地政府持續大手筆投入武漢新芯，集成電路產業投資資金密集、周期長，這家在2017年前持續虧損的企業也在爭議中奮力突圍。

國家隊發力芯片存儲

芯片被稱作“工業糧食”，中國在芯片設計、制造能力和人才隊伍方面還存在著差距，中國是世界上最大的芯片消費國，90%依賴進口，一年進口額超過2500億美元。

武漢新芯央地政府發力芯片產業發展的代表企業，于2006年4月注冊成立，由湖北省、武漢市和東湖高新區投資，一期投資規模達107億元，是這些年來中部地區第一條12英寸集成電路生產線項目。

截止到目前，武漢新芯是我國唯一以存儲器為主的集成電路制造企業。武漢新芯面臨著迫切的技術追趕任務，背后是央地政府持續投資。2015年8月5日，總規模不低于300億元的湖北集成電路產業投資基金成立，其中武漢新芯是投資重點。國家集成電路第一期大基金1387億投資，其投資重點之一就是存儲器。

國家隊發力存儲器項目，原因在于中國集成電路產業中，存儲器目前進口達85%以上，而存儲器是信息系統的基礎核心芯片。

華中科技大學微電子學院副院長、教育部“長江學者”特聘教授繆向水告訴21世紀經濟報道記者，在存儲器領域，中國目前面臨的問題，一方面是對國外依賴性強，容易被“掐脖子”，中興事件就是案例。另外，目前中國大數據、AI發展日新月異，對存儲器芯片的應用越來越多，需求大，我國巨大的信息量都存在國外的存儲器上，對我國信息安全也是一大隱患。武漢新芯目前作為存儲器領域的國家隊，技術研發任務艱巨。

華中科技大學教授、武漢集成電路設計工程技術研究中心主任鄒雪城表示，“能不做就不做，能買就買”，這種早期的業務思想在面臨信息安全和經濟安全的情況下要意識到“科技是買不來的”。當整個國民系統對核心的技術依賴過高時，就必須要重視制造業的設計，同時也要做好相關的生態建設。

一位先后在新加坡和中國芯片企業工作十余年的研發人員告訴21世紀經濟報道記者，在存儲器行業，韓國三星接近壟斷的局面己經持續多年，中國想打破壟斷，十分困難，武漢新芯目前承擔著往前沖的歷史使命。

21世紀經濟報道記者在武漢光電國家實驗室中獲取了一份《湖北省集成電路產業調研及建議》的材料，材料顯示，存儲器是應用最為普遍的集成電路芯片，在集成電路細分市場中規模最大。存儲器芯片全球市場規模近800億美元，在整個集成電路市場中占比為23%;國內存儲器芯片市場規模達到415億美元，占國內集成電路市場的23.7%，其比重超過CPU、手機基帶芯片等，其增長率也遠遠超過其它種類的集成電路。

這幾年武漢新芯受到多方的高度重視。早在2016年5月25日，李克強總理視察武漢新芯;同年8月26日，時任科技部部長萬鋼對武漢新芯進行考察調研;2017年5月4日，時任國務院副總理、國家集成電路產業發展領導小組組長馬凱一行調研紫光集團旗下長江存儲國家存儲器基地項目現場。

漢新芯爭議中堅守

從2014年到2018年，21世紀經濟報道記者多次采訪武漢新芯相關人士。武漢新芯仍是一家在爭議中奮力突圍的企業。

武漢新芯一期湖北省、武漢市投資107億元，占當年省內國有經濟投資總額的近十分之一。2012年武漢新芯實現銷售收入1.62億美元，但仍舊處于虧損狀態。如果達到盈虧平衡點，需要進一步投入巨額資金擴大產能。

武漢新芯作為湖北、武漢兩級政府耗資百億但仍不見盈利的項目，曾經一度考慮引進戰略投資者入股，由于不甘心成為代工廠，入股計劃未果。

武漢新芯的轉機，一定程度上來源于中央政府的政策支持，2014年6月國務院印發《國家集成電路產業發展推進綱要(2015-2025)》，決定了首個主攻對象為存儲芯片。

同年9月設立“國家集成電路產業投資基金”，作為主力生產企業的武漢新芯受到了政策的青睞和扶持。

當年，武漢新芯制造的閃存芯片累計出貨量突破10萬片。

今年5月初，21世紀經濟報道記者拜訪參與湖北集成電路產業規劃制定的專家，他表示，前幾年武漢市相關領導還感慨，雖然武漢新芯一直在虧損，但幸虧沒有賣掉，目前作為國家隊在存儲器領域突破的核心企業，其戰略意義非常重大，研發追趕任務也一直很迫切。

截至2017年年底，武漢新芯NOR Flash晶圓出貨量已經超過75 萬片，覆蓋從消費類到工業級，乃至汽車規范的全部NOR Flash 市場。武漢新芯的一位高管曾透露，總投資240億美元的國家存儲基地，預計2018年量產，2020年實現月產能30萬片。

對于武漢新芯目前的財務狀況，近日“荊楚在線”公眾號消息，在5月15日的一場創業論壇活動上，長江存儲執行董事長、武漢新芯董事高啟全透露，武漢新芯2017年成功實現扭虧為盈。

參與新芯項目的專家告訴21世紀經濟報道記者，新芯確實在2017年實現了扭虧，一方面是國際市場行情較好，過去20年全球半導體工廠關得多，另外隨著移動通信、物聯網的發展，芯片需求大增，對于新芯來說是利好。當然還有一個原因，從財報來看，設備折舊結束。

財報上數據的扭虧，不意味著真正的曙光來臨。在繆向水提供的資料中顯示，目前，全球存儲器市場高度壟斷，市場和關鍵技術掌握在三星、東芝、海力士等幾家寡頭企業手上。三星、海力士和美光三家壟斷了95%的DRAM存儲器市場，三星、東芝、美光、海力士四家壟斷了99%的NAND存儲器市場，前6大廠家壟斷了90%的NOR存儲器市場。武漢新芯還有很遠的路要走。

突圍軍令狀

保持戰略定力的武漢新芯，想要帶領國家芯片存儲器實現全球突圍，在企業管理機制、人才、資金和技術創新方面，都還在路上。

“雖然是國企，但跟很多壟斷性國企不一樣，武漢新芯要面對的是全球化市場競爭，這個產業是全球化的透明市場，產品也沒有指定單位采購，國企并不好做。”武漢新芯的一位從業人士告訴21世紀經濟報道記者。

另外從近期中央高層考察再到地方政府的高度重視，企業像接了軍令狀一樣，只能向前突圍，現在沒有退路。

上述人士否認外界質疑的效率和機制問題。“武漢新芯和現在的長江存儲招募了專業的全球化高管人才，如果不是想做點事情，也不會花這么大氣力全球挖人。”據介紹，引入國際化團隊，也是希望引入現代化的企業管理和創新機制。

自2013年新加坡特許半導體原首席執行官楊士寧博士“坐鎮”武漢新芯以來，武漢新芯也加大了人才投入的力度。

2014年年底，國家特聘專家、中芯國際集成電路制造副總經理洪沨博士被任命為武漢新芯COO以及華美半導體協會前會長，美國Pericom半導體公司工程部副總裁陳少民也被任命為武漢新芯CBO，而后期臺灣DRAM教父高啟全也晉升為長江存儲的執行董事、代行董事長。

一位武漢新芯的在職人員表示，武漢新芯聘請了大量韓國、美國和新加坡技術人才，開會經常需要韓語、英語交流。

21世紀經濟報道記者在采訪新芯內部人士時發現，目前新芯在挖人和留人方面都下了功夫，國企薪酬機制相對互聯網公司呆板一些，但對海外人才定價靈活，不過對大學生的定價還在改善，根據不同的崗位做調整，不像過去同批大學生同等工資，導致最后名校學生流失快。

從基礎人才來看，中國集成電路人才的缺口依舊很大。據測算，中國需要70萬集成電路領域的人才，而目前中國的從業者只有一半左右。

目前，華中科技大學成立了“華科長江存儲班”，定向培養半導體行業的人才，直接輸送到武漢新芯、長江存儲就業。

“長江存儲建設國家存儲器產業基地需要1萬個工程師。”繆向水說，近幾年長江存儲和武漢新芯的高管每年都會來華科給學生宣講，講芯片產業的國家戰略和產業對人才的需求，歡迎畢業生去就業。

武漢新芯最核心的問題是技術追趕的問題。4月11日，由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設的國家存儲器基地項目芯片生產機臺正式進場安裝，標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產準備階段，中國首批擁有完全自主知識產權的32層三維NAND閃存芯片將于年內量產。

21世紀經濟報道記者注意到，作為全球最大的NAND閃存芯片制造商三星，早在2017年上半年，三星量產第四代3D NAND閃存芯片，該芯片垂直堆疊達到64層。

“我們國家目前能形成產能的是是32層3D NAND存儲器芯片，年底將成功研發64層。但現在三星他們市場上使用的是64層的產品，并且已經有96層的技術了。”繆向水在接受采訪時表示，雖然我們國家的技術稍微落后些，但是還是要必須去做，不做的話永遠被掐脖子。

繆向水直言，集成電路產業是一個技術密集、人才密集、資本密集的行業，需要架構一個完整的生態鏈，要緊密把大學、企業、科研所連接成有機的合作整體。整個行業的發展不是一家或幾家企業的事，是全社會的事。

5月14日，東湖高新區舉行黨工委中心組(擴大)學習報告會，邀請核高基國家科技重大專項技術總師、清華大學微電子所所長魏少軍作了題為《發展集成電路產業要保持戰略定力》的主題報告。保持戰略定力持續投入和發展芯片，是武漢當下的重要命題。