型號：IPB072N15N3G

品牌：INFINEON

參數說明：

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 150V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 93nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 7.2 毫歐 @ 100A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TO263-3-2
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

深圳市中意法電子科技有限公司

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