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規格 FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 75A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 290nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7960pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 3.3 毫歐 @ 75A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-262