供應FDN338P原裝進口現貨，長期代理產品 價格優惠 歡迎采購 唐先生 13699859868， FDN338P p溝道增強型場效應晶體管邏輯水平 一般的描述 SuperSOT TM 3 p溝道增強型邏輯水平 功率場效應晶體管使用仙童的產生 專有的,高細胞密度,DMOS結構技術。 這個非常 高密度過程尤其適合最小化 開態阻力。 這些設備尤其適合 低電壓應用于筆記本電腦、便攜 手機、PCMCIA卡和其他電池供電的電路 快速切換,需要串聯功率損耗和低 在一個非常小的輪廓表面安裝包。 特性 -1.6、-20 V R DS(上) = 0.13 Ω @ V GS = -4.5 V R DS(上) = 0.18 Ω @ V GS = -2.5 V。 行業標準大綱SOT-23表面山 包使用專有SuperSOT TM 3設計 卓越的熱、電能力。 高密度細胞設計極低的R DS(上) 。 特殊的導通電阻和最大直流電流 能力。