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FDA18N50

發布時間:2018/6/1 15:51:00 訪問次數:285

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 19A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2860pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 239W(Tc)
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值) 265 毫歐 @ 9.5A,10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3
主要產品線
Ø 功率器件POWER---大功率MOSFET,如STM,IR,FSC品牌
Ø MCU---8位、16位、32位單片機,如ST,NXP,SAMSUNG品牌
Ø 可編程器件FPGA,DSP---如XILINX,TI品牌
Ø 數模/模數轉換AD/DA---如AD,MAXIM品牌
Ø 傳感器---如OPTEK,AVAGO,ST品牌
深圳市中意法電子科技有限公司
聯系人:侯瑩
電話:0755-83991292/13530416399
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