91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

位置:51電子網 » 企業新聞

MT7201C

發布時間:2018/6/5 14:06:00 訪問次數:327 發布企業:深圳市哲瀚電子科技有限公司

MT7201C是一款連續電流模式的降壓恒流驅動芯片。在輸入電壓高于LED電壓時,可以有效地用于驅動一顆或多顆串聯LED。

MT7201C 輸入電壓范圍從6伏到40伏,輸出電流可調,最大可達1安培。根據不同的輸入電壓和外部器件,MT7201C可以驅動高達32瓦的LED。

MT7201C 內置功率開關和一個高端電流感應電路,使用外部電阻設置LED平均電流,并通過ADJ引腳接受模擬調光和PWM調光。

芯片內含有PWM濾波電路,PWM濾波電路通過控制電流的上升沿從而實現軟啟動的功能。軟啟動的時間可以通過在ADJ腳與地之間增加一個外部電容來延長。當ADJ的電壓低于0.2伏時,功率開關截止,MT7201C進入極低工作電流的待機狀態。

MT7201C 采用SOT89-5 封裝。

特點:

•通過4千伏ESD測試

• 極少的外部元器件

• 高達1A的恒電流輸出

• 單一管腳實現開/關、模擬調光和PWM調光

• 內含PWM濾波器

• 獨特的抖頻技術減少EMI

• 效率高達97%

• 很寬的輸入電壓范圍:從6V到40 V

• 最大1MHz開關頻率

• LED 開路保護

• 2%的輸出電流精度

應用:

• 低壓LED 射燈代替鹵素燈

•車載LED 燈

• 低壓工業用燈

• LED 備用燈

• LED信號燈

位于復旦大學張江校區里的國家集成電路創新中心,在今年1月份已獲批上海市集成電路制造業創新中心。幾天前,由工信部、中科院、中國工程院等單位專家出席的論證會上,一致通過了該中心“升格”為國家制造業創新中心的建設方案。

一流平臺:產學研攜手攻關

復旦大學微電子學院執行院長張衛教授說,中心依托上海集成電路制造創新中心有限公司,采用“公司+聯盟”的產學研一體化方式,由復旦大學牽頭,聯合行業龍頭企業中芯國際、華虹集團等,建立集成電路產業鏈上下游協同機制,以行業協同創新模式組建。上海集成電路制造創新中心有限公司是由復旦大學、中芯國際和上海華虹集團共同出資組建的實體公司。

其中,中芯國際是中國內地規模最大、技術最先進的集成電路晶圓代工企業,也是世界先進集成電路晶圓代工企業之一。

華虹集團是國家“909”工程的成果與載體,是以集成電路制造業務為核心的多業務平臺共同發展的集成電路產業集團。復旦大學的微電子學科,源于謝希德先生等在上世紀50年代創辦的半導體物理專業,在國內外享有盛譽,擁有國內高校唯一一家集成電路設計領域國家重點實驗室——“專用集成電路與系統國家重點實驗室”。

創新成果:快速低耗存儲器

張江校區里的一幢三層小樓、28名專職“勇士”,這就是這個國家級中心目前的家底,近年來硬是憑著一股闖勁,已經取得了重要創新成果。張衛院長說:“我們研發的半浮柵器件,是一種全新原理的微電子基礎器件,它巧妙地將隧穿場效應晶體管(TEET)和浮柵晶體管相結合,構建成了一種全新原理的微電子器件,我們把它命名為半浮柵晶體管(Semi-Floating Gate Transistor,簡稱SFGT)。它的優點是速度快、功耗低。

這項成果得到了國際同行的廣泛關注,評價這項成果時將它稱為‘晶體管中的混合動力賽車登場了’。”美國一家技術咨詢公司對這項成果給出的評價是:“半浮柵晶體管能夠解決動態隨機存儲器(DRAM)芯片面臨的技術問題,有潛在的技術能力來替代DRAM。”

此外,半浮柵晶體管還可應用于CPU芯片的緩存。現有緩存通常采用6個晶體管構成的SRAM結構,集成度低、占用面積大。如果采用半浮柵晶體管,則面積能縮小為原來的20%。SFGT還可以應用于圖像傳感器芯片(APS),提高填充因子,使圖像傳感器芯片的分辨率和靈敏度得到顯著提升。

研發目標:3納米集成電路

現在,張衛教授的心里頗為踏實,由復旦大學牽頭組建的國家集成電路創新中心,能夠充分發揮高校和科研院所資源共享的優勢,為產業界合作搭建共性技術研發平臺;可以更好地匯聚高端人才,開展源頭創新,掌握核心技術,從而增強集成電路領域的國際合作能力,為我國集成電路產業技術提升提供服務,并為產業發展提供人才支撐。

“我們是一個中立的、公共的共性技術研發平臺,跟企業的研發中心不一樣。企業研發中心主要是做目標產品技術的研發,我們這個中心是瞄準集成電路的關鍵共性技術,突出共性技術研發能力、行業服務與成果轉化的能力。”張衛說,共性技術研發工作目前主要集中在5納米及以下集成電路的共性技術,聚焦新器件新工藝研發,目的是解決我國集成電路主流技術方向選擇和可靠技術來源問題,支持高端芯片在國內制造企業實現生產。“中心目前正在開展納米線圍柵器件、半浮柵晶體管等新器件和新工藝的研發,到2022年年底,將系統地開展集成技術研發,打通5納米集成電路關鍵工藝,并開展3納米前瞻技術的研發,建成具有國際影響力的集成電路先進技術創新中心。”張衛介紹說,復旦大學在張江校區已規劃了建設約2.9萬平方米的微納電子樓,未來將用于這個國家集成電路創新中心,爭取三年里打造一支由180名專職科研人員組成的集成電路研發“第一方陣”。

公司:深圳市哲瀚電子科技有限公司

聯系人:陳小姐

手機:13714441972

電話:0755-82549527/83259945/13714441972

傳真:0755-83259945

地址:廣東省深圳市福田區中航路都會軒1213

上一篇:MBI6658GD

下一篇:LN2544SR-G

相關新聞

相關型號



 復制成功!
英吉沙县| 泗阳县| 宁海县| 乾安县| 贡嘎县| 五峰| 拜泉县| 桓仁| 温州市| 凤庆县| 米脂县| 那曲县| 和政县| 泗洪县| 天台县| 改则县| 湖州市| 海林市| 仲巴县| 亳州市| 陆河县| 林芝县| 瑞昌市| 图木舒克市| 如东县| 合作市| 台东县| 隆林| 纳雍县| 灌南县| 鱼台县| 陈巴尔虎旗| 林周县| 拉孜县| 泰安市| 沅陵县| 榕江县| 莆田市| 合作市| 信阳市| 金华市|