FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 68V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 98A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 75nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2550pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 9.8 毫歐 @ 40A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
主要產品線
Ø 功率器件POWER---大功率MOSFET,如STM,IR,FSC品牌
Ø MCU---8位、16位、32位單片機，如ST,NXP,SAMSUNG品牌
Ø 可編程器件FPGA，DSP---如XILINX,TI品牌
Ø 數模/模數轉換AD/DA---如AD,MAXIM品牌
Ø 傳感器---如OPTEK,AVAGO,ST品牌
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