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NXP Semiconductors MRFX1K80參考電路支持對NXP MRFX1K80射頻功率晶體管進行快速評估和原型設計。
NXP Semiconductors MRFX1K80是一款堅固耐用的65V LDMOS射頻晶體管，設計用于高駐波比 (VSWR) 工業、科學和醫療應用，以及無線電和VHF電視廣播、Sub-GHz航空航天和移動無線電應用。該器件采用無與倫比的輸入和輸出設計，支持1.8MHz至400MHz的較寬頻率范圍。
NXP MRFX1K80H
高電壓可實現高輸出功率密度，并可減少元件數量、簡化設計
在增大輸出功率的同時保持合理的輸出阻抗，并簡化阻抗匹配，從而縮短產品開發時間
該器件與NXP MRF1K50H和MRF1K50NR5 50V LDMOS晶體管引腳對引腳兼容，可讓射頻設計人員重復使用現有的電路板設計，從而縮短產品上市時間
更高的電壓可以減小系統電流，減少直流電源負荷并降低磁輻射
采用NXP 65V LDMOS技術，具有182V的擊穿電壓，可提高可靠性并實現高效率架構
應用
工業、科技和醫療(ISM)
激光生成
等離子生成
粒子加速器
MRI、射頻消融和皮膚治療
工業加熱、焊接和干燥系統
無線電和VHF電視廣播
航空航天
甚高頻全向導航 (VOR)
HF通信
天氣雷達
MRFX1K80H-27MHZ造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
晶體管極性: N-Channel
Id-連續漏極電流: 43 A
Vds-漏源極擊穿電壓: 193 V
增益: 26 dB
輸出功率: 1200 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: NI-1230H-4S-4
工作頻率: 27 MHz
系列: MRFX1K80H
類型: RF Power MOSFET
商標: NXP Semiconductors
正向跨導 - 最小值: 44.7 S
通道數量: 2 Channel
Pd-功率耗散: 2247 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量: 1
子類別: MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓: - 6 V, 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V
MRFX1K80H-128MHZ
MRFX1K80H-88MHZ
MRFX1K80H-230MHZ
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