1、采用碳化硅(SiC)材料
2、僅適用于UVC波段
3、光敏區域面積0.5mm2
4、10uW/cm2峰值輻射強度照射下產生約6nA電流
5、芯片高度穩定性(通過德國PTB認證)
6、德國DVGW認證
SiC具有極其獨特的優點,能承受高強度的輻射,對可見光幾乎不敏感,產生的暗電流低,響應速度快,這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器最好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中,溫度系數低(<0.1%/K)并且噪音低,能夠有效的監測到極低的輻射強度(需配置相應的放大器)。
型號
光譜特性
靈敏度
0.120A/W
波長典型值
275nm
波長范圍(S=0.1*Smax)
225-287nm
可見光抑制比(Smax/S>405nm)
>1010
一般特性(25℃)
光敏區域面積
0.5mm2
暗電流(1V反向偏壓)
1.7fA
電容
125pF
短路電流(10uW/cm2峰值輻射強度)
約6nA
溫度系數
<0.1%/K
最大額定值
操作溫度
-55~+170℃
儲存溫度
-55~+170℃
焊接溫度(3S)
260℃
反向電壓VRmax
20V
物理特性
采用TO18金屬外殼密封,1引腳絕緣,1引腳接地
主要用于火焰控制(工業鍋爐),水處理(UV強度的保險),UV天文(陣列探測),槍彈跟蹤(紫外線照相機),臭氧和污染物監測,火焰感應(火警安全裝置油滴監測),測試太陽光中的紫外線強度(禮品、化妝品用具),紫外線燈管的紫外線發生強度測試(醫療器械或民用消毒碗柜的消毒效率檢驗)等。