深圳市哲瀚電子科技專業代理芯聯系列產品：CL1221CL1226CL6807CL6807 CL1570KSD CL1570ESD CL1570EDDCL1570ESKCL1570EDK CL5184OP CL5183OP等更多型號，歡迎咨詢0755-83224649陳小姐QQ3012323310
CL1570ESK是一款高結溫非隔離線性LED恒流驅動芯片，可以實現高精度的LED恒流驅動。CL1570ESK可通過外置撿流電阻調節輸出電流，歡迎來電咨詢0755-83224649陳小姐。
CL1570ESK因其特殊的恒流控制機制，兼容可控硅調光器應用，芯片無需變壓器，即可實現LED的恒流驅動，芯片本身具有過溫寶華功能，提高系統可靠性。
1.內置高壓啟動供電
2.士4%LED輸出電流精度
3.輸出電流外置可調：5mA-60mA
4.高結溫
5.兼容可控硅調光
6.內部集成450V功率管
7.無需變壓器
8.過溫調節功能
9.外圍線路簡單，元器件少
10.芯片可直接焊在鋁基板上
11.系統應用無EMI問題
受惠于市場需求強力推升，服務器存儲器供應持續吃緊，近來市場傳出，存儲器龍頭廠三星與海力士18nm制程出現良率問題，應用于高階服務器產品遭到退貨，包括美國及大陸廠商已要求暫時停止出貨。盡管三星對外刻意采取低調，但多家臺灣地區業者近日仍紛紛接獲消息，業界預計最快1~2個月左右應可改善良率，但由于第3季DRAM價格預期將緩步上升，如今再受到高階DRAM產出供不應求，將為下半年市場價格漲幅投下變量。
根據市場消息傳出，三星及SK海力士先后于5月起傳出18nm制程出現質量疑慮，并遭到數據中心客戶退貨，且在改善前將暫緩出貨，受到影響的業者包括亞馬遜及阿里巴巴、騰訊、華為等大廠，臺灣地區業者也陸續于近1~2周內獲得訊息。
雖然目前2家韓廠并未證實新制程的技術問題，但由于全球DRAM產業已呈現寡占結構，三星、SK海力士與美光等前3大廠掌握95%市占率，在韓系大廠的良率未能穩定改善前，預料數據中心的高階服務器產品供應緊缺恐將進一步擴大。
相關供應鏈業者表示，三星18nm制程并非第一次傳出質量疑慮，先前已修改過2次設計，原本業界以為第3次改良將可安全過關，不過高階服務器產品應用于數據中心的要求較為嚴格，環境測試也較為嚴峻，在DRAM制程持續微縮下，導致符合規格的產品良率較難穩定控制。
業者認為，這并不代表全部18nm制程都有問題，只是在高標準的服務器用DRAM產品遭到瓶頸，但未達高標的DRAM產品仍然可以用于其它消費性DRAM需求，如PC或NB等應用，而依照過去經驗，韓系存儲器廠最快應可在1~2個月左右改善良率問題，加上目前三星的20nm制程也在穩定生產出貨，供應至服務器市場足可應付，也預計應該不至于造成全面性的市場嚴重缺貨問題。
雖然NAND Flash近來價格下滑，但業界指出，2018年受到DRAM新增產能有限，整體市場供需的確處于吃緊，價格也相對穩健，尤其是服務器存儲器需求最為強勁，其成長速度已超越DRAM主流的移動存儲器，主要受惠于云端儲存與物聯網的帶動，數據中心建設拉動了服務器存儲器的需求，業者初估，預期未來2~3年內，服務器存儲器將可躍居DRAM市場主流，其中，2018年DRAM搭載量成長超過3成，已成為DRAM需求成長的主要動能，產品價格也最為昂貴。
據指出，以32Gb服務器存儲器為例，從過去156美元開始調漲，過了2年幾乎呈現翻倍，近期市場價格已經來到300美元的歷史高價，原本市場認為，服務器存儲器的價格水位偏高，未來繼續上漲空間十分有限，但降價幅度也不會太明顯，不過隨著韓系大廠近日傳出在服務器/數據中心出現供貨不順，這也意味著18nm制程導入的良率穩定仍有待提升，將使得高階的服務器存儲器的供應缺口擴大，未來市場價格漲勢可能將持續走揚。
業界指出，受到下半年進入傳統旺季，先前三星已釋出第3季移動及服務器DRAM價格續漲的訊息，如今18nm制程穩定供應服務器/數據中心遭受亂流，下半年的價格漲幅是否擴大將有待觀察。此外，韓系存儲器廠在遭到客戶暫停出貨后，對于美光以及積極搶攻服務器市場并預計2018年第4季起小量出貨的南亞科，將有機會帶來切入的契機，市場版圖變化將值得關注。
另一方面，市場也傳出三星電子可望暫緩DRAM擴產計劃，由于三星制程轉進1ynm后，并無法有效降低單位生產成本，使得原本第3季將于韓國平澤廠(Pyeongtaek)東翼大樓(east wing)2樓擴增每月3萬片DRAM產能的計劃將暫緩，業者認為，在新增產能延遲開出下，未來DRAM位元需求量大于供給量的情況可能將繼續延長。
