RF MOSFET Transistors 3-128MHz 110V 28dB

制造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
Id-連續漏極電流: 40 mA
Vds-漏源極擊穿電壓: 110 V
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
技術: Si
增益: 28 dB
輸出功率: 1400 W
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-539B-5
封裝: Tube
工作頻率: 3 Mhz to 128 MHz
商標: NXP Semiconductors
產品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量: 60
子類別: MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓: 11 V

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