型號：IPB049NE7N3G
品牌：INFINEON
封裝：TO-263
批號：18+
數量：1000個




FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 75V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 80A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.9 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.8V @ 91μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 68nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4750pF @ 37.5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB


NS681679
NS892407
NS681684
IDTP9038
TPS62621YFFR
TPS62621YFFT
TLV2221CDBVR
TPS54560QDDARQ1
TPS54560BQDDARQ1
DCH010505SN7
TPS61088RHLR
ADC12D1000CIUT
ADS1298IPAGR
BQ25892RTWR
BQ25892RTWT
OMAP3530ECUSA
TEMD6200FX01
TEMD6200FX01
SMM02040C1001FB300
SMM0204C1001FB00
MMA02040C1001FB300
ADS5400IPZP
ADC083000CIYB
ADC10D1000CIUT
ADS5474IPFPG4
SAF-XC886C-6FFA5VAC
XMC1100-T016F0016AA
XMC1302-T038X0032AB
XMC1402-T038X0032AA
XMC4108-F64K64BA
IGCM15F60GA
IKCS12F60F2C
MDD4N60RH




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