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Vishay MGDT音頻和信號變壓器可同時提供MOSFET和IGBT柵極功率信號。這些變壓器可驅動高達1200V總線上的MOSFET/IGBT，旨在實現出色的上升時間、過沖和峰值電流特性。該款MGDT變壓器采用薄型、平面封裝，適用于多頻段運行。這些變壓器的驅動到柵極的最小爬電距離和電氣間隙為8mm。該器件可承受高瞬態電壓。該款MGDT變壓器的LM和SM版本均符合RoHS指令。該款MGDT變壓器設有通孔和表面貼裝端子。這些音頻和信號變壓器的工作溫度范圍為-55°C至125°C，存儲溫度范圍為-55°C至130°C。
同時提供MOSFET/IGBT柵極功率和時序信號
直接驅動高達1200V總線上的高側MOSFET/IGBT
出色的上升時間、過沖和峰值電流特性
驅動到柵極的最小爬電距離和電氣間隙為8mm
薄型、平面封裝
LF和SM型號均符合RoHS指令
MGDT100100-SM制造商: Vishay
產品種類: 音頻變壓器/信號變壓器
系列: MGDT
端接類型: Through Hole
頻率范圍: 100 kHz to 500 kHz
電感: 240 uH
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 125 C
產品: Gate Drive
類型: Module
長度: 20.57 mm
寬度: 18.42 mm
高度: 11.43 mm
最大直流電阻: 0.35 Ohms
功率額定值: 2 W
屏蔽: Unshielded
商標: Vishay
產品類型: Audio & Signal Transformers
工廠包裝數量: 1
子類別: Transformers
MGDT100125-SM
MGDT100100LF
MGDT100125LF
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