一：ra20h8087m是20-watt RF的MOSFET放大器模塊for 12.5-volt，在806-經營移動收音機870-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著gate voltage around 4V (minimum), output power and drain current大幅增加.額定輸出功率變為可在4.5V（典型值）和5V（）.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率.

特征 •增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>20W,ηT>25% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW •寬帶頻率范圍：806-825/ 851-870MHz •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V •模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm •線性操作有可能通過設置靜態漏電流同門電壓和輸出功率的控制輸入功率 二：RA30H0608M是30-watt RF的MOSFET放大器模塊12.5-volt移動電臺在向工作在66-88-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進入=0V),只有一小漏電流排水和輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率和漏電流增加門極電壓上升.與周圍3V（***低），輸出功率和電壓門漏電流大幅增加.額定輸出功率變在4V（典型值）和5V（）提供.在VGG=5V,典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率. 特征 •增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=12.5V, VGG=0V) • Pout>30W,ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW •寬帶頻率范圍：66-88MHz •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=5V •模塊尺寸：66 x 21 x 9.88 mm •線性操作有可能通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制與輸入功率 三：RA08N1317M是8-watt RF的MOSFET放大器模塊for 9.6-volt，在135-工作的移動收音機175-MHz范圍.電池可以直接連接到漏極增強型MOSFET晶體管.如果沒有門電壓(VGG進排水=0V),只是一個很小的泄漏電流與輸入信號衰減的RF高達60 dB.輸出功率作為柵極和漏極電壓增加電流增加.隨著柵極電壓約2.5V（***低），輸出功率和漏目前的大幅增加.額定輸出功率變在3V（典型值）和3.5V（）提供.在VGG=3.5V,的典型柵極電流1 mA.該模塊是專為非線性調頻調制，但可能也可用于線性調制通過設置靜態漏電流隨柵極電壓和輸出功率控制輸入功率. 特征 •增強型MOSFET晶體管(IDD≅0@ VDD=9.6V, VGG=0V) • Pout>8W @ VDD=9.6V, VGG=3.5V, Pin=20mW •ηT>50% @ Pout=8W (VGG控制），VDD=9.6V, Pn=20mW •寬帶頻率范圍：135-175MHz •低功耗控制電流IGG=1mA (typ)在VGG=3.5V •模塊尺寸：30 x 10 x 5.4 mm •線性操作有可能通過設置靜態漏電流同門電壓和輸出功率的控制輸入功率