AFBR-S4N44C013 NUV-HD硅光電倍增管（SiPM） Broadcom的SiPM適用于檢測低水平脈沖光源

AFBR-S4N44C013 NUV-HD硅光電倍增器的圖像" width="200" src="https://www.digikey.com.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/B/Broadcom%20Semiconductor/AFBR%20S4N44C013%20NUV%20HD%20Silicon%20Photo%20Multiplier/broadcom-AFBR-S4N44C013-nuv-hd-silicon-photo-multiplier-200.jpg?ts=856ad9b1-7704-4b6f-b801-a0ddc17a01da&la=zh-CN-RMB" title="Broadcom的AFBR-S4N44C013 NUV-HD硅光電倍增器" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;" />Broadcom的AFBR-S4N44C013是單個SiPM，用于單光子的超靈敏精密測量。

有效面積為3.72 mm x 3.72 mm。單芯片通過槽式硅通孔（TSV）技術實現高封裝密度。通過平鋪多個AFBR-S4N44C013陣列覆蓋較大的區域，顯著降低了任何邊緣損失的可能性。鈍化層由低至UV波長的高度透明的玻璃制成。這導致可見光譜中的廣泛響應，對光譜的藍色和近紫外區域具有高靈敏度。

該SiPM非常適用于檢測低水平脈沖光源，特別是Cherenkov或來自非常常見的有機塑料材料和無機閃爍體材料（包括LSO，LYSO，BGO，Nal，Csl，BaF和LaBr）的閃爍光。

特征 高PDE 四面花木 高度透明的玻璃保護層 工作溫度范圍：-20°C至+ 50°C 符合RoHS標準 應用 X射線和伽馬射線檢測 核醫學 正電子發射斷層掃描 時間相關的單光子計數 物理實驗 評估和原型設計