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這些器件采用Q1和Q2封裝，用于30 KW和50 KW逆變器，集成場截止溝槽IGBT和快速恢復二極管，提供更低的導通和開關損耗，并使設計人員能夠在低VCE(SAT)和低EON / EOFF損耗之間折衷，以充分優化電路性能。直接鍵合銅(DBC)基底支持大電流，最大限度地降低寄生電感的影響，令設計人員實現高的開關速度，以及以12.7 mm的爬電距離提供3000 Vrms的隔離電壓。

此外，安森美半導體還推出了新的、充分優化的、超緊湊的智能功率級(SPS)多芯片模塊FDMF3170，用于服務器、數據中心、人工智能加速器和電信設備中的DC-DC 降壓轉換器。它集成兩個基于安森美半導體PowerTrench?技術的高性能功率MOSFET，和一個具有高精度電流傳感器的智能驅動器以實現最佳的處理器性能。

在Electronica展會的電源轉換和電機控制技術演示

推動高能效創新的安森美半導體，推出了新的電源模塊，在高度集成和緊湊的封裝中提供極佳能效、可靠性和性能，增添至公司已然強固的電源半導體器件陣容。

太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)逆變級和工業變頻驅動器(VFD)等應用中的功率級通常由分立的IGBT/MOSFET集成專用的驅動器和額外的分立器件構成。安森美半導體新的NXH160T120L2Q1SG和NXH160T120L2Q2F2SG功率集成模塊(PIM) 提供緊湊、高度集成的方案，采用易于貼裝的封裝，節省空間和降低成本，極大地減輕設計人員的挑戰。

NanEyeM還提供一種冗余模式，可以降低應用功耗(比如占位監測)，在該模式下只要求很低的幀率。

艾邁斯半導體將會基于ARM?內核標準處理器提供圖像采集和圖像處理的參考設計，以降低客戶的開發難度，加快上市時間。

艾邁斯半導體CMOS圖像傳感器事業部市場營銷總監Tom Walschap表示：“有些設計人員希望在空間有限的架構中添加高分辨率視頻功能，但到目前為止，一直受到市場上工業圖像傳感器尺寸的限制。NanEyeM的推出開啟了在最小空間中增加攝像頭功能的全新可能。該產品采用易于使用的數字輸出模塊形式，使設計人員可以輕松快速地添加攝像頭功

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