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SK海力士也于12日表示，預計明年第一季開始供給第二代10納米細微工程適用的8Gb DDR4 DRAM，打算追上競爭企業們的腳步。事實上，三星電子去年11月就已經批量生產第二代10納米級的8Gb DDR4服務器用的DRAM，更在今年7月領先業界，批量生產第二代10納米工程適用的16Gb LPDDR4X行動存儲器;美光公司最近也開始批量生產10納米工程適用的12Gb LPDDR4X行動存儲器。

雖然在DRAM領域中，SK海力士必須追趕著其他競爭品牌，但在NAND快閃存儲器領域則大不相同。4日時，SK海力士才表示今年內將引進PUC(Peri under Cell)技術來量產96層的3D NAND，SK海力士更將其命名「4D NAND」，這也意味著SK海力士想透過展示自家的尖端技術，顯示和同業的技術差距。

在過去五十年中，按照摩爾定律的預測，芯片上面的晶體管數目在18個月或兩年時間增加一倍。但是隨著技術的發展，開始遇到了瓶頸。因為在2016年晶體管大小到達 14nm之后，對于晶體管密度的提高變得不在那么容易了。根據 AMD CTO Mark Papermaster 所說，他們意識到了摩爾定律的變慢，但是增加晶體管密度的代價高昂且緩慢，為了持續摩爾定律，迫使芯片公司開始尋找解決方式，并讓大眾接受。

而 AMD 找到的替代方法稱為 Chiplets。它是由在較大的硅片上互連的裸露的 IC 制造而來的，不同于以往電腦和其他系統不是由連接在印刷電路板上的單獨封裝的芯片制造的。

按照規劃，Chiplets 的概念是通過將不同電腦元件集成在一塊硅片上，來實現更小更緊湊的電腦系統。這一個系統可以讓數據移動得更快，更自由，且能制造更小還能更便宜，集成更機密的的電腦系統。 Chiplets 的強大在于可以讓芯片公司更快的發布更強大的處理器。

事實上，SK海力士是全球首家在CTF(Charge Trap Flash)架構上與PUC結合，并成功開發96層的512Gb TLC(Triple Level Cell)NAND。PUC技術是指在掌管存儲數據的儲存單元(Cell)中，配置下方掌管儲存單元的周邊部(Peri)回路的技術，類似把建筑物旁邊有的停車場(在此指Peri)移動至建筑物地下室的概念。業界也評價SK海力士能以現在NAND的技術基礎，在CTF上增加了PUC技術，實現了技術進步。目前三星電子還沒有引進這樣的技術，加上SK海力士自創了「4D NAND」的名稱，由此可見對自身實力的自信。

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