ADG1236YRUZ是一款單芯片CMOS器件，內置兩個獨立可選的單刀雙擲（SPDT）開關。它采用iCMOS®工藝設計。iCMOS（工業CMOS）是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS（互補金屬氧化物半導體）與雙極性技術于一體。利用這種工藝，可以開發工作電壓達33 V的各種高性能模擬IC，并實現以往的高壓器件所無法實現的尺寸。與采用傳統CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

ADG1236YRUZ器件具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立時間的數據采集與采樣保持應用的理想解決方案。較快的開關速度及高信號帶寬，使該器件適合視頻信號切換應用。iCMOS結構可確保功耗極低，因而該器件非常適合便攜式電池供電儀表。

ADG1236YRUZ當接通時，各開關在兩個方向的導電性能相同，輸入信號范圍可擴展至電源電壓范圍。在斷開條件下，達到電源電壓的信號電平被阻止。兩個開關均為先開后合式，適合多路復用器應用。

產品聚焦

3 pF關斷電容（電源電壓：±15 V）。

電荷注入：1 pC。

3 V邏輯兼容數字輸入：VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。

無需VL邏輯電源。

超低功耗：<0.03 μW。

16引腳TSSOP和12引腳、3 mm × 3 mm LFCSP封裝。

應用

自動測試設備

數據采集系統

電池供電系統

采樣保持系統

音頻/視頻信號路由

通信系統

優勢和特點

1.3 pF關斷電容

3.5 pF導通電容

1 pC電荷注入

電源電壓范圍：33 V

導通電阻：120 Ω

額定電源電壓：+12 V、±15 V

無需VL電源

3 V邏輯兼容輸入

軌到軌工作

16引腳TSSOP和12引腳LFCSP封裝

典型功耗：<0.03 μW