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Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (G7) 功率MOSFET采用創新型無引線SMD TO (TOLL) 封裝（采用開爾文源極概念）。G7 MOSFET將經過改進的600V和650V CoolMOS™ G7技術、4引腳開爾文源極功能以及無引線TO封裝的更高熱性能相結合。因此，該SMD解決方案適合用于大電流硬開關拓撲，如高達3kW的功率因數校正 (PFC)。600V CoolMOS™ G7 MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。
CoolMOS™ G7技術提供低RDS(on)，因此可實現更高的效率、更快的開關速度以及更高的功率密度。G7外形小巧，可通過縮短組裝時間降低生產成本。
同類最佳FOM RDS(on) x Eoss和RDS(on)x QG
同類最佳RDS(on)，占位極小
內置4引腳開爾文源極配置和低寄生源極電感 (~1nH)
達到MSL1級、完全不含鉛、設有便于目視檢查的槽紋引線
改善了熱性能
通過開爾文源極降低了寄生源極電感，從而提高了開關效率和易用性
TOLL封裝簡便易用，具有最高質量標準
由于改善了熱性能，因此SMD TOLL封裝可用于大電流的設計
650V G7：相比之前的650V CoolMOS™ C7，FOM RDS(on) x QGis提高了14%，實現了更高的效率
600V G7：相比之前的600V CoolMOS™ C7，FOM RDS(on) x QGis提高了16%，實現了更高的效率
650V G7：出色的功率密度、同類最佳33mΩ、115mm2 TOLL封裝
600V G7：出色的功率密度、同類最佳28mΩ、115mm2 TOLL封裝
IPDD60R050G7XTMA1制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HDSOP-10
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 47 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 68 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Infineon Technologies
下降時間: 3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 6 ns
工廠包裝數量: 1700
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 22 ns
零件號別名: IPDD60R050G7 SP001632818
IPT60R050G7XTMA1
IPT60R150G7XTMA1
IPT60R125G7XTMA1
IPT65R033G7XTMA1
IPT65R105G7XTMA1
IPT65R195G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1
IPT60R028G7XTMA1
IPT60R080G7XTMA1
IPDD60R080G7XTMA1
IPDD60R190G7XTMA1
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