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IXFY26N30X3具有基準導通電阻和柵極電荷品質因數

發布時間:2018/12/18 9:20:00 訪問次數:408 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司

300 V超結X3級HiPerFET™功率MOSFET

IXYS的300 V超結X3級功率MOSFET的圖片 IXYS LLC現在是Littelfuse的一部分,它推出了一種新的功率半導體產品系列:300 V超結X3級HiPerFET功率MOSFET。由于導通電阻和柵極電荷分別低至4.6毫歐和22納道,它們針對硬開關和軟開關電源轉換應用進行了優化。


與IXYS的其他超結產品一樣,這些新器件采用電荷補償原理和專有工藝技術開發,使功率MOSFET具有同類最佳的品質因數(導通電阻乘以柵極電荷)。它們具有業界最低的導通電阻(例如,TO-264封裝為5.5毫歐,SOT-227為4.6毫歐),可實現電力系統中最高的功率密度和能效。


憑借超低的反向恢復電荷和時間,快速體二極管能夠在高速開關期間消除所有剩余能量,以避免器件故障并實現高效率。此外,新型MOSFET具有出色的dv / dt性能(高達20 V / ns),并且具有雪崩功能。因此,這些堅固的設備需要更少的緩沖器,并且可以用于硬開關或諧振功率轉換器。


目標應用包括用于電信電源的同步整流,電機控制(48 V至110 V系統),不間斷電源,高性能D類音頻放大器,DC-DC轉換器,太陽能逆變器和多電平逆變器。


目前有25個零件,這是業界最廣泛的300 V超結MOSFET產品系列。它們采用以下國際標準尺寸封裝:TO-3P,TO220(包覆成型或標準),TO-247,PLUS247,TO-252,TO-263,TO-264,TO-268HV,SOT227。一些示例部件號包括IXFY26N30X3,IXFA38N30X3,IXFT150N30X3HV和IXFN210N30X3,其電流額定值分別為26A,38A,150A和210A。


資源
300V X3級功率MOSFET產品簡介
特征
一流的導通電阻RDS(on)和柵極電荷Qg品質因數
快速恢復體二極管
dv / dt和雪崩堅固性
國際標準包裝
好處
最高效率
高功率密度
易于設計
應用
電信電源的同步整流
電機控制(48 V至110 V系統)
不間斷電源(UPS)
高性能D類音頻放大器
DC-DC轉換器
太陽能逆變器
多級交織者
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