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武漢新芯成立于2006年，2008年建成投產。2016年，在武漢新芯基礎上，紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北集成電路產業投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲科技有限責任公司，武漢新芯整體并入長江存儲，成為長江存儲全資子公司。
近日，傳武漢新芯在紫光集團內部正在悄悄進行“大變身計劃”，有“DRAM教父”之稱的紫光集團執行副總裁、長江存儲代行董事長高啟全，正式接下武漢新芯執行長一職，著手進行全面改造。
在12月初，武漢新芯官方新聞稿宣布，基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發成功。武漢新芯的晶圓級集成技術可將三片不同功能的晶圓(如邏輯、存儲和傳感器等)垂直鍵合，在不同晶圓金屬層之間實現電性互連。與傳統的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬，降低延時，帶來更高的性能與更低的功耗。
武漢新芯技術副總裁孫鵬表示：“三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平臺。武漢新芯的三維集成技術居于國際先進、國內領先水平，已積累了6年的大規模量產經驗，能為客戶提供工藝先進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。”
武漢新芯自2012年開始布局三維集成技術，并于2013年成功將三維集成技術應用于背照式影像傳感器，良率高達99%，隨后陸續推出硅通孔(TSV)堆疊技術、混合鍵合(Hybrid Bonding)技術和多片晶圓堆疊技術。
重新定位瞄準三大業務
孫鵬指出，武漢新芯營運重新定位后的三大方向，分別為3D IC技術、自有品牌NOR Flash及MCU三大塊。三片晶圓堆疊技術即屬3D IC業務方向。
GlobalFoundries 在 0.13 微米平臺的嵌入式可多次編寫 (Multiple-Times Programmable，MTP) 矽智財已符合車規驗證標準 AEC-Q100 Grade 1，第二代的 MTP 技術也進入布局，其中，符合 AEC-Q100 Grade 1 的 MTP 操作溫度可達 150°C，在溫度區間 ( -40°C~150°C ) 編寫可達 1,000 次，并能在 125°C 的高溫下維持 10 年以上的資料留存能力。
力旺的第二代的 MTP 存儲面積縮小超過 40%，無線充電芯片設計客戶可藉由嵌入 MTP IP，允許頻繁修改內設的電源開關順序、輸出電流與溫度控制等規格參數，以達到產品優化目的。
GlobalFoundries 和力旺在不同工藝技術平臺上都有緊密合作，這次雙方擴展至二代 MTP 技術上，預計 BCD 與 BCDlite 工藝平臺會在 2019 年完成可靠度驗證。
另外，韓國的半導體廠 Dongbu 的 0.18 微米 BCD 工藝平臺也完成力旺的二代 MTP 技術布局，Dongbu 的該平臺也是主攻電源管理芯片，尤其是無線充電和 USB Type C 相關芯片。
未來各種嵌入式存儲技術在邏輯工藝制程上所扮演的角色越來越重要，OTP 和 MTP 矽智財更成為 BCD 工藝平臺必備的矽智財組合，尤其是針對電源管理芯片相關的應用，陸續會看到更多矽智財技術提供方、晶圓代工廠、芯片設計客戶的雙向或是三方合作，擴大該市場商機。
他強調，3D IC 與傳統的 2.5D 芯片堆疊技術相比，晶圓級的三維集成技術能同時帶、寬增加，降低延時，并且有更高的性能與更低的功耗，非常適合用在 AI 領域。武漢新芯的第二條主軸是 NOR Flash 產品，過往都是做代工，但這一、二年公司策略轉變，轉型為部分經營自有品牌，部分開放代工。
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