深圳市哲瀚電子科技PT4115/PT4205/PT4211/PT4119/PT4240A/PT4121/PT4119E/PT4115E0755-83237951陳小姐。

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PT4115是一款連續電感電流導通模式的降壓恒流源，用于驅動一顆或多顆串聯LED。PT4115輸入電壓范圍從8伏到30伏，輸出電流可調，最大可達1.2安培。根據不同的輸入電壓和外部器件，PT4115可以驅動高達數十瓦的LED。

PT4115 內置功率開關，采用高端電流采樣設置LED平均電流，并通過DIM引腳可以接受模擬調光和很寬范圍的PWM調光。當DIM的電壓低于0.3伏時，功率開關關斷，PT4115進入極低工作電流的待機狀態。

PT4115采用SOT89-5封裝和ESOP8封裝。

特點：

z 極少的外部元器件

z 很寬的輸入電壓范圍：從8V到30V z 最大輸出1.2A的電流

z 復用DIM引腳進行LED開關、模擬調光和PWM調光

z 5%的輸出電流精度

z LED開路自然保護

z 高達97%的效率

z 輸出可調的恒流控制方法

z 增強散熱能力的ESOP8封裝可用于大功率驅動

應用：
低壓LED射燈代替鹵素燈
車載LED燈

LED備用燈

近來， DRAM 和NAND Flash全球價格雙雙下跌。對于存儲芯片廠商來說，這個冬天不好過，有的緊衣縮食，有的報團取暖。展望2019年， 存儲器產業 是否還會持續低迷?

經過兩年多的漲價潮，DRAM的風光不再，10月份調研報告顯示DRAM內存現貨價格跌了10%。今年第四季DRAM價格正式反轉向下，11月合約價甚至出現二次下跌的狀況，預計2019年第一季DRAM合約價跌幅將持續擴大。

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的分析，2018年NAND Flash供應商3D 64層產品良率穩定，產出高于預期。由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預估第一季NAND Flash合約價將再進一步走跌，跌幅約10%。

事實上，從今年第1季度以來，NAND Flash價格就止不住下滑了，其第3季度行業產值僅為170億美元，環比只增長了4.4%，NAND閃存價格卻降了10-15%。

三星/ SK海力士 /美光紛紛減產

12月24日，根據韓國媒體報道，三星電子第4季營運表現恐不如預期，將較去年同期呈現下滑。韓國當地分析師預期，截至12月底的一季，韓國科技巨頭三星電子的營業利潤為13.9萬億韓元 (123億美元 )，去年同期為15.1萬億韓元(133.6億美元)，降幅為7.6%。三星電子第3季的營業利潤為17.57萬億韓元(155.5億美元)。

SEMI預計，與今年相比，韓國半導體公司的資本支出明年將減少34.7%。根據最新報告，明年內存芯片制造商的資本支出預計將下降19%，而不是此前預測的增長3%。DRAM方面預計下降23%，NAND Flash方面預計下降13%。三星電子可能會減少對平澤的P1和P2設施以及華城的S3的投資。

另一邊，SK海力士在此前的2018Q3財報會議上亦表示，將調整在2019年第1季末開始量產NAND Flash快閃存儲器的M15工廠產能，以降低SK海力士對DRAM的依賴。而位于無錫的C2工廠，也將把原來2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產制程，優化成1xnm(10nm后期)的產品，以降低生產成本，并將在2019年第2季量產。至于，以生產NAND Flash快閃存儲器為主的M11工廠，則將把2D NAND Flash轉換為生產3D NAND Flash，也是因為就生產成本來進行的考量。

除了三星本季營運表現不如預期，美光財年第1季財報表現也堪憂，在DRAM與NAND Flash產品銷售同步衰退下，季營收滑落至79.13億美元，毛利率59%，每股純益2.97美元。

美光宣布將調降明年資本支出，縮減12.5億美元降至95億美元，因應市場需求減少下，減少芯片的產量，三大存儲器大廠拉響警報，存儲器產業前景蒙上陰霾。

面對存儲器產業低迷，三大廠商除了采取減產措施以外，還在積極拓展其他業務。三星方面，積極研發新存儲技術，比如MRAM;同時還加大了對車軌MLCC的生產。SK海力士方面，正在加大晶圓代工業務，比如11月增資1000萬美元無錫晶圓代工廠。美光方面，為了應對產業低迷的狀況，以15億美元收購英特爾股份并全資控股IF Flash，繼續研發3-D XPoint技術。

除以上三大廠商外，其他存儲廠商也都會受到波及，比如中國大陸的紫光存儲。

紫光/群聯報團取暖

在全球存儲器產業表現低迷之時，12月24日，群聯電子與紫光存儲科技有限公司在北京簽署戰略合作協定，將在存儲產品供應鏈、產品設計、代工生產等領域全面深化合作，建立密切的合作伙伴關系，充分發揮各自行業優勢，促進雙方業務發展和產品延伸，實現生態共贏。

紫光集團旗下長江存儲和武漢新芯的快速崛起，將成為大陸首家最快量產64層3D儲型快閃存儲( NAND Flash)指標廠。從今年長江存儲正式產出38層的3D NAND Flash開始，紫光集團就入股多家快閃存儲控制芯片公司，一度傳出群聯也在收購名單之列，但雙方價格一直沒談妥，不過群聯也支持長江存儲的芯片，協助進行測試，進而導入在IC芯片卡應用。

群聯這次和紫光存儲簽署戰略合作協議，就是看好大陸全力發展自主存儲產業的商機。根據這次的協議，雙方將深化開展生產、銷售存儲產品與服務層面的合作，打造完整、高效的商業鏈條，著力聯合開發創新存儲產品，協作開拓全球市場。

群聯董事長潘健成坦言，透過雙方合作，可全面發揮資源和能力互補優勢，打造共贏的業務生態。

供應鏈指出，紫光集團明年將正式跨入NAND Flash產業，且明年下半年就能進入到64層的3D NAND量產，腳步相當迅速，由于NAND Flash必須搭配控制IC才能使用，因此紫光集團的新產能就成為群聯搶先合作的目標。

南亞科/華邦電面臨沖擊

臺廠在這一波存儲器產業面臨衰退的情況中，恐將面臨嚴格的沖擊，南亞科11月合并營收12.07億元，月減19.7%，創13個月來單月營收新低，累計前十一個月合并營收178.5億元;因DRAM出貨量及價格下滑，南亞科調整第4季單季銷售量，將較上季減少約15%，無法達成原預期的持平目標。

華邦電11月合并營收8.98億元，月減3.22%，年減10.12%，創9個月新低;旺宏11月合并營收6.8億元，創7月以來低點，月減21.8%_，年減7.4%。

研調機構看淡存儲器產業，集邦科技預估，第4季DRAM價格跌幅超乎預期， 平均售價下跌近8%，明年第1季DRAM合約價格跌幅擴大，預估將達10%以上， NAND Flash價格也是下跌。

面對價格下跌及需求趨緩的雙重隱憂，業內人士擔憂臺廠相關存儲器廠的營運恐將面臨更大的壓力，從南亞科、華邦電及旺宏11月營收表現來看，第4季到明年首季，可能面臨相當大的挑戰。

存儲器產業低迷，你怎么看?

DRAM內存降價已是必然，內存大廠也紛紛消減明年DRAM產能。不過這內存漲的時候猛漲不止，降價的勢頭也同樣比預期更狠。與此同時，NAND Flash產能超出預期，以致市場供過于求，價格連續走跌。

南亞科總經理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲觀，供應商端也理性控制產出，不認為明年在報價上會有劇烈的波動，中美貿易戰之國際局勢將是影響市場的最大關鍵因素。

李培瑛分析，全球電子產品走向智能化，存儲器是最關鍵的零組件，需求面沒有太悲觀。供給方面，DRAM供應商現在變得比較理性。預期明年雖有季節性變化，尚不會有急劇跌價的問題，明年DRAM價格預計出現合理的調整，估計會持續緩跌一季或者二季。

十銓科技總理理陳慶文表示，目前看DRAM、NAND Flash明年價格將雙雙跌價，價格跌幅都恐達三成，預計明年上半年價格跌勢較為明顯，明年第三季起，隨著5G帶動服務器需求，產業有機會觸底反彈，明年下半年價格有機會逐步止跌。

陳慶文指出，當下要維持營運成長的確具有挑戰性，但往往跌勢之際是危機也是契機，看好因為價格下跌將刺激需求爆發，尤其SSD的單位價格將快速與傳統硬盤拉近，最快明年下半年將出現黃金交叉，SSD的需求正式超越傳統硬盤，預期明年第三季度，隨著QLC NAND Flash良率穩定之后，供應量將會明顯提升，屆時對于市場的價格也會帶來影響。

威剛董事長陳立白曾表示，明年DRAM因主要芯片制造商增產有限，價格仍會持穩;NAND Flash受各大廠軍備競賽未歇，預料價格跌幅不亞于今年，預期NAND Flash上游廠明年有一半以上無法賺錢。

還有業內人士認為，雖然存儲器價格下滑趨勢確立，但預估此次下滑趨勢應不超過 18 個月，英特爾 14 nm x86 CPU 短缺狀況應會于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 應于2019年下半年量產， AMD 7 nm x86 CPU， 7 nm挖礦機及智慧手機，5G 手機都將于2019年出籠取代中低階機種及對存儲器半導體產生正面影響。因此預估大多數的存儲器半導體公司會面對營業利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對于國內企業而言，面臨的處境更加嚴峻。隨著存儲器產業周期調整，中國廠商將有可能錯失這一波市場機遇。加之存儲器市場競爭愈發激烈，前期如果沒有價格優勢，國內廠商很難實現快速搶占市場份額。針對這種情況，國內廠商也在嘗試不同的產品形態，如紫光的隱式指紋安全U盤、武漢新芯的特種工藝等。