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BGA8V1BN6E6327XTSA1 有現貨 可添加我們聯系方式獲取最優惠價格
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Infineon Technologies BGA8V1BN6低噪聲放大器 (LNA) 用于頻率范圍為3.3GHz至3.8GHz的LTE。LNA具有15.0dB增益和1.2dB噪聲系數（電流消耗為4.2mA時）。 在旁路模式下，LNA的插入損耗為5.3dB。 BGA8V1BN6 基于Infineon Technologies的B9HF硅鍺技術。該器件的工作電源電壓為1.6V至3.1V，采用多狀態控制（關閉、旁路和高增益模式）。
工作頻率：3.3-3.8GHz
插入功率增益：15.0dB
旁路模式插入損耗：5.3dB
低噪聲系數：1.2dB
低電流消耗：4.2mA
多狀態控制：關閉、旁路和高增益模式
超小型TSNP-6-2無鉛封裝
射頻輸入和射頻輸出內部匹配至50Ω
無需外部元件
BGA8V1BN6E6327XTSA1 制造商: Infineon
產品種類: 射頻放大器
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSNP-6
類型: Low Noise Amplifier
技術: SiGe
工作頻率: 3.3 GHz to 3.8 GHz
增益: 15 dB
工作電源電壓: 1.6 V to 3.1 V
NF—噪聲系數: 1.2 dB
工作電源電流: 4.2 mA
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
商標: Infineon Technologies
產品類型: RF Amplifier
工廠包裝數量: 15000
子類別: Wireless & RF Integrated Circuits
零件號別名: 8V1BN6 BGA E6327 SP001495628
BGA8U1BN6E6327XTSA1
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