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富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品

富士通電子元器件(上海)有限公司日前宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發的首款ReRAM存儲器產品。

ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器，此產品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20，數據擦寫上限是后者的10倍。

此全新產品適用于需電池供電的穿戴式裝置及助聽器等醫療設備，例如助聽器等需要高密度且低功耗的電子設備上有絕佳的表現。

截至目前為止，富士通通過提供具有耐讀寫及低功耗特性的FRAM(鐵電隨機存儲器)，以滿足客戶對遠高于EEPROM以及串列式Flash等傳統非易失性存儲器的效能需求。在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線后，富士通可進一步擴充產品系列，以滿足客戶多樣化的需求。

MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛范圍內工作，還能通過SPI接口支持最高5 MHz的工作頻率，并在讀取時僅需極低的工作電流(5MHz頻率下平均僅消耗0.2mA)。此外，該產品擁有業界非易失性內存最低的讀取功耗。

此全新產品采用209mil 8-pin的SOP(small outline package)，引腳與EEPROM等非易失性內存產品兼容。富士通在微型8-pin SOP封裝中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。

富士通預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫療設備，以及量表與傳感器等物聯網設備。

富士通預期未來持續提供各種產品與解決方案，以協助客戶提升其應用的價值與便利性。

產品規格

組件料號：MB85AS4MT

內存密度(組態)：4 Mbit(512K字符x 8位)

界面：SPI(Serial peripheral interface)

工作電壓：1.65 – 3.6V

低功耗：讀入工作電流0.2mA(于5MHz)

寫入工作電流1.3mA(寫入周期間)

待機電流10μA

休眠電流2μA

保證寫入周期：120萬次

保證讀取周期：無限

寫入周期(256 位/頁)：16毫秒(100%數據倒置)

數據保留：10年(最高攝氏85度)

封裝：209mil 8-pin SOP

詞匯與備注

1. 可變電阻式內存(ReRAM)：

為非易失性內存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成，使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優點。松下半導體于2013年即開始量產配備ReRAM的微型計算機。

2. 松下電器半導體：

〒617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地。

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