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BSC190N15NS3 G 服務器的板載電源 BSC13DN30NSFDATMA1原裝現貨

發布時間:2019/3/12 16:11:00 訪問次數:267

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Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETsBSC190N15NS3 G BSC13DN30NSFDATMA1 有現貨 可添加我們聯系方式獲取最優惠價格

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英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是同類領先的功率 MOSFET,實現最高功率密度和能效的解決方案。超低的柵極和輸出電荷、加上最低的導通電阻和小尺寸封裝,使 英飛凌 N 溝道 OptiMOS 功率 MOSFET 成為滿足服務器、數據通信、電信應用穩壓器解決方案嚴苛要求的理想選擇。超快開關控制 FET 加上低 EMI 同步 FET 提供了易于設計導入(design in)的解決方案。 英飛凌 N 溝道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 提供優秀的柵極電荷,最適合直流-直流轉換。

OptiMOS™ 產品提供高性能封裝,可用于最具挑戰性的應用,充分靈活地優化空間、效率和成本。OptiMOS™ 產品經設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調節標準的能效和功率密度要求。

MOSFET 特性

經優化的 SyncFET,用于高性能降壓轉換器

100% 經雪崩測試

N 溝道

非常低的導通電阻 RDS(on) @ VGS=4.5V

超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss)(對于給定 RDS(on)

按照 JEDEC 標準符合目標應用要求

出色的熱阻

無鉛電鍍;符合 RoHS 要求

無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標準

應用

服務器的板載電源

高性能計算的電源管理

同步整流

高功率密度負載點轉換器

BSC190N15NS3 G BSC13DN30NSFDATMA1 制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V

Id-連續漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導通電阻: 16 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

系列: OptiMOS 3

晶體管類型: 1 N-Channel

類型: OptiMOS 3 Power-Transistor

寬度: 5.15 mm

商標: Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值: 29 S

CNHTS: 8541210000

下降時間: 6 ns

HTS代碼: 8541290095

MXHTS: 85412999

產品類型: MOSFET

上升時間: 53 ns

工廠包裝數量: 5000

子類別: MOSFETs

TARIC: 8541290000

典型關閉延遲時間: 25 ns

典型接通延遲時間: 15 ns

零件號別名: BSC190N15NS3GATMA1 BSC19N15NS3GXT SP000416636

單位重量: 100 mg


BSC190N15NS3 G

BSC13DN30NSFDATMA1

BSC350N20NSFDATMA1

BSZ0910NDXTMA1

BSC190N15NS3GATMA1

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

深圳市燁弘軒電子有限公司,我司2011年成立于中國經濟特區深圳.我司專注于為全球電子企業提供優質的電子零件供應服務,竭力打造全球品牌元器件零售與批量供應中心。

專業經營各類電子元器件(集成電路IC,存儲芯片,分立器件,電源,無源元件,連接器,繼電器,傳感器,光電子,開關,保險元件,緊固件,開發工具,變壓器,測試與測量等)。

我們以低成本提供全方位一站式電子元件供應鏈采購方案,包括但不僅限于電子元件緊急物料搜尋,電子元件齊套供應、電子元件降低成本的長期供應,庫存寄售等一系列供應鏈解決方案。優勢供應各類電子組件.

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深圳市燁弘軒電子有限公司 重點客戶遍布中國內地 港 澳 臺地區,另外歐美發達國家以及 一代一路沿線發展中國家我司也有大量長期合作的優質客戶。

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公司服務宗旨:客戶虐我千百遍,我待客戶如初戀。

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