產品描述：NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G：單P溝道小信號MOSFET-20V，-950mA，150mΩ
這是一個20VP溝道功率MOSFET。
特性：NTZS3151PT1G
低RDS（on）提高系統效率
低閾值電壓
小尺寸1.6x1.6毫米
符合RoHS標準
應用：NTZS3151PT1G
負載/電源開關
電池管理
終端產品：NTZS3151PT1G
手機
數碼相機
掌上電腦
尋呼機
制造商零件編號 NTZS3151PT1G
描述 MOSFETP-CH20V0.86ASOT-563
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 4周
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-860mA（Ta）-170mW（Ta）-SOT-563
一般信息 數據列表 NTZS3151P;
標準包裝
包裝
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -
規格 FET類型 P溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 860mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 150毫歐@950mA，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 5.6nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 458pF@16V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 170mW（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-563
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
