產品描述：FDC6420C

FDC6420C，這些N和P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench工藝生產，這一先進工藝是專為最大限度地降低通態電阻并保持卓越開關性能而定制的。這些器件經過專門設計，能在極小的空間內實現優異的功率耗散，非常適合那些不宜采用更大更昂貴的SO-8和TSSOP-8封裝的應用。

產品特性：FDC6420C

Q13.0A，20V

RDS(on)=70mΩ@VGS=4.5V

RDS(on)=95mΩ@VGS=2.5V

Q2–2.2A，20V。

RDS(on)=125mΩ@VGS=-4.5V

RDS(on)=190mΩ@VGS=2.5V

低柵極電荷

高性能溝道技術可實現極低的RDS(ON)

SuperSOT–6封裝：小尺寸（比標準SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。

應用：FDC6420C

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

FDC6420C

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDC6420C
描述 MOSFETN/P-CH20V3A/2.2ASSOT-6
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 23周
詳細描述 N-和-P-溝道-Mosfet-陣列-20V-3A-2.2A-700mW-表面貼裝-SuperSOT™-6
一般信息 數據列表 FDC6420C;

標準包裝FDC6420CTR-ND;part_id=979805;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 PowerTrench®


規格 FET類型 N和P溝道
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 3A，2.2A
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 70毫歐@3A，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 4.6nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 324pF@10V
功率-最大值 700mW
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝 SuperSOT™-6