產品描述：FDG6335N

FDG6335N:雙20VN溝道PowerTrenchMOSFET

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統開關PWM控制器來改進DC/DC轉換器整體功效而設計的。它專為小型開關調節器而優化，可在小型封裝中提供極低的RDS(ON)和柵極電荷(QG)。

產品特性：FDG6335N

0.7A，20V。RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5VRDS(ON)=400mΩ@VGS=2.5V

低柵極電荷（1.1nC，典型值）

高性能溝道技術可實現極低的RDS(on)

緊湊的工業標準SC70-6表面貼裝封裝。

應用：FDG6335N

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

FDG6335N

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDG6335N
描述 MOSFET2N-CH20V0.7ASOT-363
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 42周
詳細描述 2-個-N-溝道（雙）-Mosfet-陣列-20V-700mA-300mW-表面貼裝-SC-88（SC-70-6）
一般信息 數據列表 FDG6335N;

標準包裝FDG6335NTR-ND;part_id=573186;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 PowerTrench®


規格 FET類型 2個N溝道（雙）
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 700mA
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 300毫歐@700mA，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 1.4nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 113pF@10V
功率-最大值 300mW
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SC-88（SC-70-6）