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BSC028N06NS

發布時間:2019/4/28 10:08:00 訪問次數:253 發布企業:深圳市大唐盛世半導體有限公司

制造商: Infineon 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: PG-TDSON-8 通道數量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續漏極電流: 100 A Rds On-漏源導通電阻: 2.8 mOhms Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.1 V Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V Qg-柵極電荷: 37 nC 最小工作溫度: - 55 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 83 W 配置: Single 通道模式: Enhancement 商標名: OptiMOS 封裝: Cut Tape 封裝: MouseReel 封裝: Reel 高度: 1.27 mm 長度: 5.9 mm 系列: OptiMOS 5 晶體管類型: 1 N-Channel 寬度: 5.15 mm 商標: Infineon Technologies 正向跨導 - 最小值: 50 S 下降時間: 8 ns 產品類型: MOSFET 上升時間: 38 ns 工廠包裝數量: 5000 子類別: MOSFETs 典型關閉延遲時間: 19 ns 典型接通延遲時間: 11 ns

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