產品描述：SPP11N60C3

600VCoolMOS™C3的更換是CoolMOS™P7

600VCoolMOS™C3是英飛凌第三個CoolMOS™系列，于2001年上市.C3是該產品組合中的“工作馬”。

功能摘要：SPP11N60C3

•低特定導通電阻（RDS（on）*A）

•輸出電容（Eoss）@400V的能量儲存非常低

•低柵極電荷（Qg）

•FieldprovenCoolMOS™質量

•CoolMOS™技術自1998年以來由英飛凌制造

優點：SPP11N60C3

•高效率和功率密度

•出色的性價比

•高可靠性

•便于使用

目標應用：

•服務器

•電信

•消費者

•PC電源

•適配器

制造商 InfineonTechnologies
制造商零件編號 SPP11N60C3XKSA1
描述 MOSFETN-CH650V11ATO-220AB
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 通孔-N-溝道-pval-2068-11A（Tc）-125W（Tc）-PG-TO220-3-1
一般信息 數據列表 SP(P,I,A)11N60C3;

標準包裝SPP11N60C3XKSA1-ND;part_id=593178;ref_supplier_id=448;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 500
包裝 管件
零件狀態 不適用於新設計
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 CoolMOS™


規格 FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 11A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 380毫歐@7A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 3.9V@500μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 60nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1200pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 125W（Tc）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3-1
封裝/外殼 TO-220-3