產品描述：STF11NM80

STF11NM80：這些N溝道功率MOSFET采用STMicroelectronics革命性的MDmesh™技術開發，該技術將多重排水工藝與公司的PowerMESH™水平布局相結合。這些器件具有極低的導通電阻，高dv/dt和出色的雪崩特性。這些功率MOSFET采用ST專有的剝離技術，具有整體動態性能，優于市場上的同類產品。

產品特性：STF11NM80

低輸入電容和柵極電荷

低柵極輸入電阻

業內最佳RDS（上）*Qg

制造商 STMicroelectronics
制造商零件編號 STF11NM80
描述 MOSFETN-CH800V11ATO220FP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 30周
詳細描述 通孔-N-溝道-pval-2068-11A（Tc）-35W（Tc）-TO-220FP

一般信息

數據列表 STx11NM80;

標準包裝 50
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 MDmesh™

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 11A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 400毫歐@5.5A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 43.6nC@10V
Vgs（最大值） ±30V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1630pF@25V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作溫度 -65°C~150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220FP
封裝/外殼 TO-220-3整包