產品描述：NDC7002N

NDC7002N:雙N溝道增強模式場效應晶體管

這些雙N溝道增強模式功率場效應晶體管采用飛兆專有的高單元密度、DMOS技術生產。這一密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態電阻，提供穩固和可靠的性能以及快速開關而定制的。這些器件特別適合需要低電流高邊開關的低電壓應用。

產品特性：NDC7002N

0.51A，50V。RDS(ON)=2Ω@VGS=10V。

采用高密度單元設計，可實現極低的RDS(ON)。

專有SuperSOTTM-6封裝設計采用銅引腳架構，以獲得出色的熱性能和電氣性能。

高飽和電流。

應用：NDC7002N

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 NDC7002N
描述 MOSFET2N-CH50V0.51ASSOT6
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 5周
詳細描述 2-個-N-溝道（雙）-Mosfet-陣列-50V-510mA-700mW-表面貼裝-SuperSOT™-6
一般信息 數據列表 NDC7002N;

標準包裝NDC7002NTR-ND;part_id=244204;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-陣列
系列 -


規格 FET類型 2個N溝道（雙）
FET功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 50V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 510mA
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 2歐姆@510mA，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 2.5V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 1nC@10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 20pF@25V
功率-最大值 700mW
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝 SuperSOT™-6