產品描述：NTD2955T4G

功率MOSFET
-60 V，-12 A，P溝道DPAK
該功率MOSFET設計用于承受高能量雪崩和換向模式。 專為低壓，高壓而設計電源，轉換器和電源中的速度切換應用電機控制。 這些設備特別適合橋接二極管速度和換向安全工作區域的電路至關重要并提供額外的安全余量以防止意外電壓瞬變。

產品特征：NTD2955T4G
•雪崩能量指定
•IDSS和VDS（on）在高溫下指定
•專為低壓，高速開關應用而設計
在雪崩和換向模式下承受高能量
•用于汽車和其他應用的NVD和SVD前綴
要求唯一的網站和控制變更要求;
AEC-Q101合格且PPAP能力
•這些器件是無鉛的，符合RoHS標準

制造商:NTD2955T4G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TO-252-4
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
60 V
Id-連續漏極電流:
12 A
Rds On-漏源導通電阻:
180 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Qg-柵極電荷:
15 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
55 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
2.38 mm
長度:
6.73 mm
系列:
NTD2955
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
6.22 mm
商標:
ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:
8 S
下降時間:
48 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
45 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
26 ns
典型接通延遲時間:
10 ns
單位重量:
4 g