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CSD17313Q2

發布時間:2019/5/8 15:03:00 訪問次數:200 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

CSD17313Q2

產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: WSON-6
通道數: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 5 A
Rds On - 漏-源電阻: 30 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 : 900 mV
Vgs - 閘極-源極電壓: 8 V
Qg - 閘極充電: 2.1 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 17 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
公司名稱: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
系列: CSD17313Q2
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
寬度: 2 mm
品牌: Texas Instruments
開發套件: TMDSCSK388, TMDSCSK8127
下降時間: 1.3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.9 ns
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 4.2 ns
標準開啟延遲時間: 2.8 ns
每件重量: 8.700 mg

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