產品描述：IRLML6402TRPBF

采用Micro3封裝的-20V單P溝道HEXFET功率MOSFET

該型號是P溝道MOSFET，廠家：Infineon，目前還在量產中，封裝：3-PinSOT-23，產地：泰國。

產品優點：IRLML6402TRPBF

•符合RoHS標準

•行業領先的質量

•快速切換

•薄型（小于1.1mm）

•P溝道MOSFET

•SOT-23足跡

目標應用：

•直流開關

•負載開關

制造商 InfineonTechnologies
制造商零件編號 IRLML6402TRPBF
描述 MOSFETP-CH20V3.7ASOT-23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-P-溝道-pval-2068-3.7A（Ta）-1.3W（Ta）-Micro3™-SOT-23
一般信息 數據列表 IRLML6402PbF;

標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 HEXFET®


規格 FET類型 P溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 3.7A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 65毫歐@3.7A，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.2V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 12nC@5V
Vgs（最大值） ±12V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 633pF@10V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 Micro3™/SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3