產品描述：FDV301N

FDV301N：N溝道數字FET

此N溝道邏輯電平增強模式場效應應晶體管采用了飛兆半導體專有的高單元密度，DMOS技術生產。這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。器件特別為低電壓應用設計，以替代數字晶體管。由于不需要偏壓電阻，這一N溝道FET可取代數個具有不同偏壓電阻值的數字晶體管。

產品特性：FDV301N

25V，0.22A持續電流，0.5A峰值電流.RDS（ON）=5Ω@VGS=2.7V，RDS（ON）=4Ω@VGS=4.5V.

柵極驅動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行.VGS（th）<1.5V。

柵-源齊納二極管增強耐靜電放電（ESD）能力。>6kV人體模型。

極低的柵極驅動要求允許在3V電路中直接操作。VGS（th）<1.06

用于ESD耐用性的柵源齊納二極管。

>6kV人體模型

用一個DMOSFET替換多個NPN數字晶體管

應用：FDV301N

該產品是一般用途，適用于許多不同的應用。

制造商 ONSemiconductor
制造商零件編號 FDV301N
描述 MOSFETN-CH25V220MASOT-23
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
原廠標準交貨期 42周
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-220mA（Ta）-350mW（Ta）-SOT-23

一般信息

數據列表 FDV301N;

標準包裝FDV301NTR-ND;part_id=458851;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 220mA（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.7V，4.5V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 4歐姆@400mA，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.06V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） .7nC@4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9.5pF@10V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3