■邏輯上為16 kbit鐵電隨機存取存儲器（F-RAM）
按2K×8組織
高耐久性100萬億（1014）讀/寫
151年數據保留（見數據保留和
耐久性表）
nodelay™寫入
先進的高可靠性鐵電工藝
快速2線串行接口（I2c）
最高1兆赫頻率
串行（I2c）EEPROM的直接硬件更換
支持100 kHz和400 kHz的傳統計時
■功耗低
100μA 100 kHz時的有功電流
3μA（典型）備用電流
電壓運行：Vdd=2.7 V至3.65 V
工業溫度：–40攝氏度至+85攝氏度
ω包
8針小外形集成電路（SOIC）封裝
8針雙平面無引線（DFN）封裝
功能描述
fm24cl16b是一個16 kbit的非易失性存儲器，使用
先進的鐵電工藝。鐵電隨機接入
存儲器或F-RAM是非易失性的，執行讀寫操作。
類似于RAM。它提供了151年的可靠數據保留
同時消除了復雜性、開銷和系統級別
由EEPROM和其他非易失性引起的可靠性問題
回憶。
與EEPROM不同，FM24CL16B在
總線速度。不會產生寫入延遲。數據寫入
每個字節成功后立即存儲陣列
已傳輸到設備。下一個公共汽車周期可以開始
不需要數據輪詢。此外，該產品還提供
與其他非易失性相比，具有相當大的寫入持久性
回憶。此外，F-RAM在寫入過程中的功耗要低得多。
因為寫操作不需要內部
寫入電路的電源電壓升高。這個
FM24CL16B能夠支持1014個讀/寫周期，或
寫周期是EEPROM的1億倍。
這些功能使FM24CL16B成為非易失性的理想選擇。
需要頻繁或快速寫入的內存應用程序。
示例包括數據記錄，其中寫入的次數
循環可能對要求工業控制至關重要，
電可擦可編程只讀存儲器的長寫入時間會導致數據丟失。這個
功能組合允許更頻繁的數據寫入
減少系統開銷。
FM24CL16B為串行用戶提供了巨大的好處
（I2c）EEPROM作為硬件的替代品。裝置
在工業溫度下保證規格
范圍為-40攝氏度至+85攝氏度。
