產品描述：MT48LC16M16A2P-6A
SDRSDRAM存儲器
256MbSDRAM是一個高速CMOS，動態隨機存取存儲器268,435,456位。它在內部配置為具有同步的四存儲體DRAM接口（所有信號都記錄在時鐘信號的上升沿，CLK）。x4的67,108,864位存儲體中的每一個被組織為8192行乘2048列乘4位。每個x8的67,108,864位存儲區組織為8192行×1024列8位。x16的67,108,864位存儲體中的每一個被組織為8192行×512列按16位。
對SDRAM的讀寫訪問是面向突發的;訪問從選定的開始定位并繼續編程序列中的編程數量的位置。訪問從注冊ACTIVE命令開始，然后遵循通過READ或WRITE命令。注冊的地址位與ACTIVE命令用于選擇要訪問的存儲體和行（BA[1：0]選擇銀行;A[12：0]選擇行）。注冊的地址位與READ或。一致WRITE命令用于選擇突發訪問的起始列位置。SDRAM提供1,2,4或8的可編程讀或寫突發長度（BL）具有突發終止選項的位置或整頁。自動預充電功能可以啟用以提供在時間結束時啟動的自定時行預充電
突發序列。
256MbSDRAM采用內部流水線架構，可實現高速運行。該體系結構與預取體系結構的2n規則兼容，但它還允許在每個時鐘周期更改列地址以實現高速，完全隨機訪問。訪問一個銀行，同時訪問另一個銀行三家銀行將隱藏PRECHARGE周期并提供無縫，高速，隨機訪問操作。
256MbSDRAM設計用于3.3V內存系統。自動刷新提供模式，以及省電，省電模式。所有輸入和輸出與LVTTL兼容。
SDRAM在DRAM運行性能方面取得了重大進步，包括使用自動列地址以高數據速率同步突發數據的能力生成，內部庫之間交錯以隱藏預充電時間的能力，以及在突發期間在每個時鐘周期隨機改變列地址的能力
訪問。
產品特征：MT48LC16M16A2P-6A
•符合PC100-和PC133標準
•完全同步;所有信號均以正數登記
系統時鐘的邊緣
•內部流水線操作;列地址可以
每個時鐘周期都要改變
•內部銀行用于隱藏行訪問/預充電
•可編程突發長度：1,2,4,8或整頁
•自動預充電，包括并發自動預充電
和自動刷新模式
•自刷新模式（AT設備不可用）
•自動刷新
-64ms，8192周期刷新（商業和
產業）
-16ms，8192周期刷新（汽車）
•兼容LVTTL的輸入和輸出
•單3.3V±0.3V電源
制造商 MicronTechnologyInc.制造商零件編號 MT48LC16M16A2P-6A:GTR
描述 ICDRAM256MPARALLEL54TSOP
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168小時）
原廠標準交貨期 5周
詳細描述 SDRAM-存儲器-IC-256Mb-（16M-x-16）-并聯-pval-800-pval-2192-54-TSOP-II
一般信息 數據列表 MT48LCxxM4/8/16A2;
標準包裝
包裝
零件狀態 在售
類別 集成電路（IC）
產品族 存儲器
系列 -
規格 存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術 SDRAM
存儲容量 256Mb（16Mx16）
存儲器接口 并聯
時鐘頻率 167MHz
寫周期時間-字，頁 12ns
訪問時間 5.4ns
電壓-電源 3V~3.6V
工作溫度 0°C~70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 54-TSOP（0.400"，10.16mm寬）
供應商器件封裝 54-TSOPII
