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據EpiGaN聯合創始人兼首席執行官Marianne Germain博士介紹，多年來，EpiGaN在GaN技術領域備受行業認可，目前研制出并優化了一種可投入使用的技術，應用于5G寬帶網絡應用。我們的技術為Soitec的客戶創造了絕佳的機會，可以針對新興高增長市場快速開發產品解決方案，例如射頻設備、高效電源開關設備和傳感器設備。

Soitec首席執行官Paul Boudre表示，目前，GaN技術在射頻和功率市場中的應用備受矚目。GaN外延硅片材料與Soitec目前的優化襯底產品系列將形成戰略上的天作之合。收購EpiGaN進一步擴展并補充了Soitec的硅產品組合，為射頻、5G和功率系統創造了新的工藝解決方案。

此外，鑒于GaN在功率晶體管設計中的應用，收購EpiGaN還將為Soitec現有的Power-SOI產品創造新的增長空間。

在SOI晶圓方面，Soitec也與中國公司展開了合作。

三星于當地時間5月14日在美國Santa Clara舉行的2019年三星代工論壇上宣布，將于明年完成GAA工藝開發，并于2021年開始批量生產。

GAA工藝有望改變代工行業的格局。目前，代工行業的競爭是基于半導體的小型化。然而，縮小半導體的尺寸是有限制的。因此，GAA技術改變了半導體的結構，使其更強大。所有的芯片制造商現在都致力于鞏固這項技術。

“自10納米芯片時代開始，FinFET工藝已成為代工行業的主流技術。但FinFET工藝在半導體小型化方面有其局限性。GAA旨在克服這一限制，” 一位業內人士表示。“GAA技術可能成為三星電子的秘密武器，該公司的目標是在2030年在非存儲領域占據首位。”

另一位分析師表示:“三星已經從7納米產品時代超越了臺積電，并完成了5納米FinFET工藝的開發。由于三星在GAA技術上領先于競爭對手，它將能夠在未來的競爭中領先，盡管目前在市場份額上落后于臺積電。”

去年，三星電子宣布將把GAA技術應用于其3納米工藝。在加速技術發展的同時，公司還積極宣傳其新技術。三星電子正在充分利用2019年三星代工論壇，以推動其技術進步。此次論壇上，三星向高通、蘋果等非晶圓廠客戶分發了一套3nm GAA工藝設計工具包。

工藝設計工具包是一個數據文件，幫助無晶圓廠公司設計芯片優化。這使得無晶圓廠的公司可以很容易地設計他們的產品，并實現更短的上市時間。尤其值得一提的是，與7納米FinFET工藝相比，三星的GAA工藝可以將芯片尺寸和功耗分別降低45%和50%。

今年2月，Soitec與新傲科技聯合宣布將加強合作關系，擴大新傲科技位于中國上海制造工廠的200mm SOI晶圓年產量，從年產18萬片增加至36萬片，以更好地服務全球市場對RF-SOI和Power-SOI產品的增長性需求。

值得注意的是，2016年Soitec 宣布上海硅產業投資有限公司(NSIG)計劃收購Soitec 14.5%的股份，旨在為 Soitec 擴大融資規模，并促進 FD-SOI 技術在中國的推廣。上海硅產業是由國家大基金和上海嘉定工業區等機構共同出資成立。上海硅產業入資Soitec，換言之，一家中國芯國家隊企業通過投資加強國際合作，來提升硅材料產業綜合競爭力。

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