LF356MX/NOPB標準雙極晶體管(BI-FET™技術)。這些放大器特性低輸入偏置和偏置電流/低偏移電壓和補償電壓漂移,再加上偏移量調整,不降低漂移或模抑制。設備也為高轉換速率,寬的帶寬,沉淀時間極快,低電壓和電流噪聲和低1 / f噪聲。
優勢
場效應晶體管取代昂貴的混合和模塊
放大器
崎嶇的jfet滅允許自由處理
相比之下,MOSFET的輸入設備
優秀的低噪聲的應用程序使用
高或低Impedance-Very來源
低1 / f的角落
抵消不降低漂移或調整
在大多數模抑制
單片放大器
新的輸出級允許使用
電容負載(5000 pF)不穩定
問題
內部補償和大的差異
輸入電壓的能力
共同的特征
低輸入偏置電流:30
低輸入偏置電流:3
高輸入阻抗:1012Ω
低輸入噪聲電流:0.01 pA /√赫茲
高共模抑制比:100分貝
大型直流電壓增益:106分貝
常見的特征
極快沉淀時間:0.01%
4μs LFx55設備
1.5μs LFx56
1.5μs LFx57 (AV = 5)
快速轉換速度:
5 V /μs LFx55
12 V /μs LFx56
50 V /μs LFx57 (AV = 5)
寬增益帶寬:
2.5 MHz LFx55 de
LF356MX/NOPB制造商: Texas Instruments
產品種類: 運算放大器 - 運放
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOIC-8
電源電壓-最大: 36 V
通道數量: 1 Channel
GBP-增益帶寬產品: 5 MHz
SR - 轉換速率 : 12 V/us
CMRR - 共模抑制比: 80 dB to 100 dB
Ib - 輸入偏流: 50 pA
Vos - 輸入偏置電壓 : 10 mV
電源電壓-最小: 10 V
工作電源電流: 5 mA
最小工作溫度: 0 C
最大工作溫度: + 70 C
關閉: No Shutdown
系列: LF356
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel LF356MX/NOPB
高度: 1.45 mm
輸入類型: Rail-to-Rail
長度: 4.9 mm
產品: Operational Amplifiers
電源類型: Dual
技術: BiFET
寬度: 3.9 mm
商標: Texas Instruments
en - 輸入電壓噪聲密度: 15 nV/sqrt Hz at +/- 15 V
In—輸入噪聲電流密度: 0.01 pA/sqrt Hz
最大雙重電源電壓: +/- 18 V
最小雙重電源電壓: +/- 5 V
工作電源電壓: 10 V to 36 V, +/- 5 V to +/- 18 V
Pd-功率耗散: 380 mW
產品類型: Op Amps - Operational Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 80 dB
工廠包裝數量: 2500
子類別: Amplifier ICs
電壓增益 dB: 106.02 dB
單位重量: 187 mg
