CMOS 3.0 Volt Core with Vertalie I/O
SPI with Multi-I/O
時鐘極化與相位模式0和3
選擇權
+10064；Extended addressing：24-or 32-bit address options
串行命令集與足印兼容
S25FL-A，S25FL-K，and S25FL-P SPI Families
多I/O命令集與足印兼容
S25FL-P SPI Family
讀者命令
正常的，快速的，雙的，四分之一的
自動推進或復位并執行一個正常或四個
預先選定地址自動命令
配置信息共享閃存接口（CFI）數據。
方案編制（1.5 mbps）
編程緩沖器選項
slow clock systems（QPP）quad-input page programming（QPP）
自動內置硬件誤差修正碼
單位誤差修正的一代
移植酶（0.5-0.65 mbps）
混合部門大小選項物理集第三個4-kb
在地址空間的頂部或底部保留全部
64kb，for compatibility with prior generation S25-
設備
Uniform sector option-always erase 256-kb blocks for software
與高密度和未來設備的兼容性。
耐力自行車
%10064；100000 program-erase cycle，minimum
數據保留
最低限度數據保留
安全特征
OTP Array of 1024 Bytes
+10064；Block Protection：
•Status register bits to control protection against program
或是一個分區毗連范圍的劃分。
•硬件和軟件控制選項
高級部門保護
•Individual sector protection controlled by boot code or
密碼
Cypress®65 nm mirrorbit®技術與日蝕
建筑
核心電壓：2.7v至3.6v
i/o供電電壓：1.65v至3.6v
&10064；SO16 and FBGA packages
溫度范圍/等級：
工業（40℃+85℃）
+10064；Industrial plus（+40°C to+105°C）
AEC-Q100級3（+85℃40℃）
AEC-Q100級2（+40℃至+105℃）
AEC-Q100級1（“40°C至+125°C”）
自由貿易區
+10064；16-lead soil（300 mil）
WSON 6 \ 61620；8毫米
=10064；BGA-24 6=61620；8毫米
•5=61620；5 Ball（FAB024）and 4=61620；6 Ball（FAC024）footprint選項
•知道好的死亡（KGD）和知道的試驗死亡
1概覽
1.1一般說明
The Cypress S25Fl128s and S25FL256s devices are flash non-volatile memory products using：
鏡像技術——每個存儲器陣列晶體管中的兩個數據位
《日蝕架構——大幅度改善方案和遞解出境的表現》
65 NM過程平版印刷
這家族設備通過一個SPI連接到一個主機系統。傳統單位串行輸入和輸出
支持選擇性兩位（雙I/O或Dio）和四位（Quad I/O或Qio）串行命令。多寬度接口
這叫做SPI Multi-I/O或MIO。另外，FL-S家庭添加劑支持SIO，Dio和Qio的DDR讀取命令
在時鐘兩側的地址和讀取數據。
日蝕結構特征是一頁編程緩沖器，允許128字（256個字節）或256字（512個字節）的緩沖器
在一個操作中編程，結果是快速有效的編程和逐漸淘汰，而不是優先一代SPI程序或逐漸淘汰酶
算法
從閃存直接執行代碼通常被稱為執行代碼。用高速時鐘率的裝置
支撐，與邱或DDR-Qio命令一起，指令讀取傳輸速率可以匹配或優異的傳統平行界面，
異步，無閃存，減少信號的悲劇計數。
S25FL128S和S25FL256S產品的高密度與靈活性和快速性能相結合，需要多種多樣
Of Embedded Applications.它們是代碼暗影、XIP和數據存儲的理想。
