S29GL512S10TFI020一般說明Cypress®S29GL01G/512/256/128S是mirrorbit®Eclipse閃存產品，采用65納米工藝技術制造。

這些設備提供的頁面訪問時間最快可達15 ns，相應的隨機訪問時間最快可達90 ns。

它們的特點是一次操作最多可編程256個字/512個字節的寫緩沖區，從而提高效率。

編程時間比標準編程算法。這使這些設備成為當今嵌入式應用程序的理想選擇要求更高的密度、更好的性能和更低的功耗

特色
CMOS 3.0伏核心，帶多功能I/O65納米mirrorbit eclipse技術單電源（VCC），用于讀取/編程/擦除（2.7 V至3.6伏）
通用I/O功能–寬I/O電壓范圍（VIO）：1.65 V至VCC×16數據總線異步32字節頁面讀取512字節編程緩沖區–以頁面倍數編程，最多可達512字節同一單詞選項上的單個單詞和多個程序
自動錯誤檢查和糾正（ECC）-內部具有單位糾錯功能的硬件ECC扇區擦除–統一的128 kbyte扇區暫停和恢復程序和擦除命令
操作狀態寄存器、數據輪詢和忙/閑插針方法確定設備狀態先進部門保護（ASP）–每種產品的揮發性和非揮發性保護方法
扇區使用兩個單獨的1024字節一次性程序（OTP）陣列可鎖定區域通用閃存接口（CFI）參數表
溫度范圍/等級
–工業（-40°C至+85°C）
–工業+40°C至+105°C
–汽車，AEC-Q100 3級（-40°C至+85°C）
–汽車，AEC-Q100 2級（-40°C至+105°C）
100000個程序/擦除周期20年數據保留
包裝選項
- 56針TSOP
–64球LAA強化BGA，13 mm×11 mm
–64球Lae強化BGA，9 mm×9 mm
–56球VBU強化BGA，9 mm×7 mm

地址空間映射閃存設備的地址范圍內可能會出現幾個單獨的地址空間。一地址空間在任何給定時間都可見（輸入）。
閃存陣列：用于存儲數據的主要非易失性內存陣列，可通過異步讀取操作。
ID/CFI：用于Cypress工廠編程設備特性信息的存儲陣列。此區域包含設備識別（ID）和通用閃存接口（CFI）信息表。
安全硅區（SSR）：用于Cypress工廠的一次性可編程（OTP）非易失性存儲器陣列編程永久數據和客戶可編程永久數據。
鎖定寄存器：用于配置ASP功能和鎖定SSR的OTP非易失性字。
持久保護位（ppb）：一個非易失性閃存陣列，每個扇區一位。編程時，每個位保護相關扇區不被擦除和編程。
ppb lock：用于啟用或禁用ppb位的編程和擦除的易失性寄存器位。
密碼：用于存儲64位密碼的OTP非易失性數組，用于更改PPB鎖的狀態。使用密碼模式扇區保護時的位。
動態保護位（DYB）：每個扇區一個位的易失性陣列。設置后，每個位保護相關扇區從擦除和編程。
狀態寄存器：用于顯示嵌入式算法狀態的易失性寄存器。
數據輪詢狀態：一個易失性寄存器，用作備用的、與傳統軟件兼容的、顯示嵌入式的方式。
算法狀態。
ECC狀態：提供讀取所選頁面時所采取的任何錯誤檢測或更正操作的狀態。
主閃存陣列是主地址空間和默認地址空間，但在任何位置，它都可能被另一個地址空間覆蓋。
一次。每個備用地址空間稱為地址空間覆蓋（ASO）。
每個ASO替換（覆蓋）整個閃存設備地址范圍。任何未由特定ASO地址定義的地址范圍
地圖，留作將來使用。ASO地址映射之外的所有讀取訪問都返回無效（未定義）數據。地點將顯示活動驅動的數據，但未定義出現的1或0的含義。
有四種設備操作模式可確定在任何給定時間閃存設備地址空間中出現的內容：
讀取模式
數據輪詢模式
狀態寄存器（SR）模式
地址空間覆蓋（ASO）模式