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SUD50P04-08-GE3

發布時間:2019/5/22 10:09:00 訪問次數:208 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

SUD50P04-08-GE3


製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
通道數: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Id - C連續漏極電流: 50 A
Rds On - 漏-源電阻: 8.1 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.5 V
Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V
Qg - 閘極充電: 159 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 73.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.38 mm
長度: 6.73 mm
系列: SUD
寬度: 6.22 mm
品牌: Vishay / Siliconix
互導 - 最小值: 45 S
下降時間: 18 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 70 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
每件重量: 1.438 g



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