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拆解分析機構TechInsights的分析師探索了第四代3D閃存芯片──海力士（SK Hynix）的256-Gbit 72層TLC NAND，指該芯片具備市場上最高閘極堆棧的產品。。.。。.
在SK Hynix的72層（72L） TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）單元，是利用管線式（pipe）閘極鏈接每一個NAND字符串（NAND string）；從其布局可見，該芯片包含4個平面（plane）以及雙面字符線開關/譯碼器（two-sided wordline switches/decoders）。
該內存數組的效率約57%，是因為相對較大的內存與其他周邊；而SK Hynix的36L與48L產品內存數組效率則分別為67.5%與64.0%。此趨勢顯示SK Hynix應該會為下一代芯片開發尺寸更小巧的設計。
三星（Samsung）以及東芝/WD （Toshiba/Western Digital）的64L 3D TLC NANS裸晶，有超過65%的內存數組效率；不過以上的內存芯片尺寸以及功能則都差不多。
各家64L與72L 3D NAND閃存單元數組效率比較
SK Hynix 72L NAND閃存的位密度為3.55 Gbits/mm2，高于Samsung/WD之64L芯片；而美光/英特爾（Micron/Intel）的64L 3D NAND芯片是4種解決方案中位密度最高的，主要是因為采用名為CuA （CMOS under the array）的獨特磚式（title）布局。
