產品描述：AO3400A

30VN溝道MOSFET

AO3400A結合了先進的溝槽MOSFET技術采用低阻抗封裝提供極低的RDS（ON）。該設備適合用作負載開關或PWM應用。

生命周期：AO3400A

量產

歐盟RoHS

是

歐盟RoHS版本

2011/65/EU

零件編號代碼

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描述

TransMOSFETN-CH30V5.8A3引腳SOT-23

分類

二極管，晶體管和晶閘管>FET晶體管>MOSFET

產品面世日期

2008-05-0600:00:00

ECCN

EAR99

供應商籠子代碼

6USE7

HTSUSA

8541290095

組態

單

類別

功率MOSFET

頻道模式

增強

頻道類型

ñ

每個芯片的元素數量

1

最大漏極源電壓

30V

最大柵極源電壓

±12V

最大連續漏極電流

5.8A

最大漏極源電阻

28@10VmOhm

典型的柵極電荷@Vgs

6@4.5VnC

典型輸入電容@Vds

630@15VpF

最大功耗

1400mW

最低工作溫度

-55°C

最高工作溫度

150℃

基本包裝類型

引線框架SMT

包裹姓氏

SOT-23

供應商包裝

SOT-23

包裝說明

小外形晶體管

鉛形狀

鷗翼

針數

3

PCB

3

包裝長度（mm）

2.9

包裝寬度（mm）

1.6

包裝高度（mm）

1

坐式平面高度（mm）

1.25（最大）

針距（mm）

0.95

包裝材料

塑料

安裝

表面貼裝

封裝外形

下載PDF文檔

回流溫度資源

下載PDF文檔

最高波溫（°C）

245至260

波峰焊時間（秒）

10

波浪溫度。資源

下載PDF文檔

鉛涂層（電鍍）

啞光錫

終端底座材料

銅

制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
制造商零件編號 AO3400
描述 MOSFETN-CH30V5.8ASOT23-3
對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛/符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝-N-溝道-pval-2068-5.8A（Ta）-1.4W（Ta）-SOT-23-3

一般信息

數據列表 AO3400;

標準包裝 3,000
包裝 標準卷帶
零件狀態 初步
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管-FET，MOSFET-單
系列 -

規格

FET類型 N溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流-連續漏極（Id）（25°C時） 5.8A（Ta）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn） 2.5V，10V
不同Id，Vgs時的RdsOn（最大值） 28毫歐@5.8A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值） 1.45V@250μA
不同Vgs時的柵極電荷（Qg）（最大值） 7nC@4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值） 630pF@15V
FET功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作溫度 -55°C~150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3