CMOS 3.0伏核心，帶多功能I/O
65納米mirrorbit eclipse技術
單電源（VCC），用于讀取/編程/擦除（2.7 V至3.6伏）
通用I/O功能
–寬I/O電壓范圍（VIO）：1.65 V至VCC
×16數據總線
異步32字節頁面讀取
512字節編程緩沖區
–以頁面倍數編程，最多可達512字節
同一單詞選項上的單個單詞和多個程序
自動錯誤檢查和糾正（ECC）-內部
具有單位糾錯功能的硬件ECC扇區擦除
–統一的128 kbyte扇區
暫停和恢復程序和擦除命令操作
狀態寄存器、數據輪詢和忙/閑插針方法確定設備狀態
先進部門保護（ASP）
–每種產品的揮發性和非揮發性保護方法扇區
使用兩個單獨的1024字節一次性程序（OTP）陣列可鎖定區域
通用閃存接口（CFI）參數表
溫度范圍/等級
–工業（-40°C至+85°C）
–工業+40°C至+105°C
–汽車，AEC-Q100 3級（-40°C至+85°C）
–汽車，AEC-Q100 2級（-40°C至+105°C）
100000個程序/擦除周期
20年數據保留
包裝選項
- 56針TSOP
–64球LAA強化BGA，13 mm×11 mm
–64球Lae強化BGA，9 mm×9 mm
–56球VBU強化BGA，9 mm×7 mm
產品概述
GL-S系列由128兆比特到1比特、3.0伏核心、通用I/O、非易失性閃存設備組成。這些設備具有16位（字）寬的數據總線，僅使用字邊界地址。
所有讀訪問在每個總線傳輸上提供16位數據周期。所有寫操作都從每個總線傳輸周期中獲取16位數據。
GL-S系列結合了就地執行（XIP）和數據存儲閃存的最佳功能。
這個家庭有快隨著數據存儲閃存的高密度和快速編程速度，XIP閃存的隨機訪問成為可能。根據設備密度和I/O電源電壓，對任意隨機位置的讀取訪問需要90 ns到120 ns。
每個隨機（初始）訪問讀取稱為頁的整個32字節對齊的數據組。
同一頁中的其他單詞可由僅更改字地址的低階4位。
同一頁中的每個訪問都需要15到30個納秒。這叫做頁面模式讀取。更改任何較高的字地址位將選擇不同的頁面并開始新的初始訪問。
全部讀取訪問是異步的。
